Freescale MRF6P3300HR5
тел. +7(499)347-04-82
Описание Freescale MRF6P3300HR5
Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора Freescale/NXP MRF6P3300HR5.
Описание
MRF6P3300HR5 — это мощный полевой транзистор на основе арсенида галлия (GaAs), разработанный для использования в выходных каскадах усилителей мощности в базовых станциях сотовой связи стандартов 3G (W-CDMA/UMTS) и 4G (LTE).
Ключевые особенности и назначение:
- Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от NXP (ранее Freescale). Эта технология обеспечивает высокую линейность, усиление и эффективность, что критически важно для современных сложных цифровых модуляций.
- Основное применение: Выходные каскады усилителей мощности в пико- и микро-BTS (базовых станциях), ретрансляторах, а также в системах распределения сигнала (DAS).
- Ключевые преимутивы:
- Высокая линейность: Обеспечивает низкий уровень интермодуляционных искажений (IMD), что необходимо для поддержания качества сигнала и соответствия стандартам связи.
- Высокий коэффициент усиления: Позволяет сократить количество каскадов усиления в тракте, упрощая конструкцию и снижая стоимость.
- Широкая полоса пропускания: Способен работать в широком диапазоне частот, покрывая несколько каналов или полос.
- Интегрированная защита: Встроенные стабилизирующие резисторы и защита от электростатического разряда (ESD).
Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | NXP Semiconductors (ранее Freescale Semiconductor) | | | Тип транзистора | N-канальный LDMOS, Enhancement Mode | | | Корпус | Air-Cavity CERAMIC (HL-1, SOT-1190A) | Высоконадежный корпус для СВЧ-мощности с низкими потерями. | | Класс работы | Класс AB | Оптимальный баланс между линейностью и эффективностью. | | Диапазон частот | 700 - 1000 МГц | Оптимизирован для диапазонов LTE/3G: 700, 750, 800, 850, 900, 950 МГц. | | Выходная мощность (P3dB) | 330 Вт (пиковая) | | | Выходная мощность (P1dB) | ~300 Вт | | | Линейная выходная мощность (CW) | > 150 Вт | Типичное значение для непрерывного сигнала. | | Напряжение питания (VDD) | +28 В / +32 В | Стандартное для базовых станций. | | Коэффициент усиления (Gps) | > 19 дБ | Типичное значение на частоте 860 МГц, VDD=28В. | | КПД (Drain Efficiency) | > 45% | Типичное значение на частоте 860 МГц, VDD=28В. | | Линейность (ACPR) | < -50 дБн | Типичное значение для сигнала W-CDMA, соответствует стандартам. | | Ток покоя (IDQ) | ~ 1400 мА | Типичное значение, настраивается для оптимальной линейности. | | Термическое сопротивление (RthJC) | ~ 0.17 °C/Вт | Низкое значение, указывает на хорошую способность к отводу тепла. | | Монтаж | Поверхностный (SMT) | Требует точного соблюдения технологии пайки и условий отвода тепла. |
Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели
Этот транзистор является частью семейства и имеет несколько вариантов маркировки, а также прямые или близкие аналоги.
1. Прямые парт-номера и альтернативные обозначения:
- MRF6P3300HR5 — Полное основное наименование.
- MRF6P3300H — Часто используется как сокращенное обозначение той же модели.
- MRF6P3300 — Базовый номер модели (без указания корпуса/ревизии).
2. Совместимые / Альтернативные модели от NXP (Freescale):
Модели из того же семейства, с близкими параметрами, которые могут рассматриваться для замены или использоваться в схожих схемах (требуется проверка по datasheet и цепи смещения):
- MRF6P3300HR6 — Более новая или обновленная ревизия (Rev. 6) того же транзистора. Наиболее вероятная прямая замена.
- MRF6P3135H / MRF6P3435H — Модели с мощностью 135Вт и 435Вт соответственно. Имеют схожие характеристики, но другую выходную мощность.
- MRF6VP3450H — Модель из более нового семейства "VP", оптимизированная для высокой эффективности и линейности, может использоваться в модернизированных разработках.
3. Аналоги от других производителей (Требуется тщательная верификация!):
Прямых 100% аналогов по всем параметрам, как правило, не существует из-за особенностей LDMOS-структур. Однако для ремонта или перепроектирования могут рассматриваться мощные LDMOS транзисторы в аналогичном корпусе и диапазоне частот от других производителей:
- Ampleon (ранее RF Power division NXP):
- BLF6G22-130, BLF8G20LS-300 — Модели из разных семейств, требуют проверки распиновки и характеристик.
- Wolfspeed (Cree):
- CGH35030F, CGH40030F — Транзисторы на основе GaN (нитрид галлия). Обладают более высокой эффективностью и полосой, но имеют другую цоколевку и требования к смещению. Не являются прямой заменой, но могут быть альтернативой при перепроектировании.
- Qorvo (ранее TriQuint):
- TGA2578, TGA2594 — Мощные усилители/транзисторы на GaN. Также требуют полного пересмотра схемы.
Важное примечание:
При замене MRF6P3300HR5, особенно на модель другого производителя, необходимо:
- Внимательно изучить datasheet на замену.
- Проверить соответствие цоколевки (pinout).
- Сравнить характеристики (частотный диапазон, усиление, мощность, ACPR).
- Адаптировать цепь смещения (bias circuit), так как требования к напряжению на затворе и току покоя (IDQ) могут отличаться.
- Убедиться в совместимости печатной платы по тепловому и ВЧ-тракту.
Для гарантированной совместимости и сохранения параметров системы рекомендуется использовать оригинальную модель MRF6P3300HR5 или ее официальную ревизию MRF6P3300HR6 от NXP.