IXYS IXTQ52N30P

Описание и технические характеристики IXYS IXTQ52N30P

IXYS IXTQ52N30P – это N-канальный мощный MOSFET транзистор, разработанный для высокоэффективных импульсных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для:

• Импульсных источников питания (SMPS)
• DC-DC преобразователей
• Моторных драйверов
• Индукционного нагрева
• Телекоммуникационного оборудования

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | N-channel MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 52 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.052 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Емкость затвора (C_iss) | 4300 пФ |
| Время включения (t_d(on)) | 15 нс |
| Время выключения (t_d(off)) | 60 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Температурный диапазон | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS IXTQ52N30 (тот же транзистор, но без суффикса "P")
• IXYS IXFH52N30P (близкий аналог с похожими характеристиками)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• Infineon IPP60R099CP (300 В, 50 А, R_DS(on) = 0.099 Ом)
• STMicroelectronics STW52N30DM2 (300 В, 52 А, R_DS(on) = 0.052 Ом)
• Vishay SUP75N30 (300 В, 75 А, R_DS(on) = 0.045 Ом)

Альтернативные варианты (схожий параметр V_DSS):

• IRFP260N (200 В, 50 А, R_DS(on) = 0.055 Ом) – для менее требовательных схем
• Fairchild FDP52N30 (300 В, 52 А, R_DS(on) = 0.052 Ом)

Заключение

IXTQ52N30P – надежный MOSFET с высоким током и низким R_DS(on), подходящий для мощных преобразователей и драйверов. При замене важно учитывать параметры V_GS(th) и динамические характеристики.

Если нужен более точный подбор аналога, уточните условия работы (частота переключения, тепловой режим).