IXYS IXTN90N25L2

Описание и технические характеристики IXYS IXTN90N25L2

IXTN90N25L2 – это N-канальный MOSFET транзистор от IXYS (ныне Littelfuse), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Ключевыми особенностями являются низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on)), высокая энергоэффективность и надежность в импульсных источниках питания, инверторах и DC-DC преобразователях.

Основные параметры:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 250 В
• Максимальный ток стока (I_D): 90 А (при 25°C)
• Сопротивление открытого канала (R_DS(on)): 0.025 Ом (при V_GS = 10 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 500 Вт
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3–5 В
• Заряд затвора (Q_g): 120 нКл
• Корпус: TO-264
• Температурный диапазон: -55°C до +175°C

Парт-номера (аналоги и альтернативы):

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• IXTN90N25
• IXTN90N25T
• IXTN90N25D2

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IPP90N25S4-40
• Vishay: SUF90N25-40
• STMicroelectronics: STW90N25
• Fairchild/ON Semi: FDP90N25

Области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями
• Высоковольтные коммутационные устройства

Этот MOSFET подходит для замены в схемах, требующих высокого тока и низкого сопротивления канала. При замене на аналог рекомендуется проверять соответствие параметров, особенно R_DS(on) и Q_g.