IXYS IXTA1R4N100P

Описание

IXYS IXTA1R4N100P – это N-канальный MOSFET-транзистор с высокой мощностью и низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)), предназначенный для применения в высоковольтных и сильноточных схемах. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение 1000 В
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on) = 1.4 Ом)
• Большой ток стока (I_D = 1.1 А)
• Быстрое переключение
• Корпус TO-263 (D²PAK) для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В |
| Ток стока (I_D, при 25°C) | 1.1 А |
| Ток стока (I_D, при 100°C) | 0.7 А |
| Сопротивление (R_DS(on)) | 1.4 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Мощность рассеивания (P_D) | 50 Вт |
| Корпус | TO-263 (D²PAK) |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXTA1R4N100P (оригинал от IXYS)
• IXTA1R4N100 (тот же транзистор, но может отличаться упаковкой)

Близкие аналоги (схожие характеристики):

• STF1N100 (STMicroelectronics, 1000 В, 1.1 А, R_DS(on) = 1.5 Ом)
• IRF840 (International Rectifier, 500 В, 8 А, R_DS(on) = 0.85 Ом) – для менее требовательных схем
• FQP1N100 (Fairchild/ON Semi, 1000 В, 1 А, R_DS(on) = 1.5 Ом)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы напряжения
• Силовые ключевые схемы

Если нужны более точные аналоги или доп. информация – уточняйте!