IXYS IXTA1N100

Описание

IXYS IXTA1N100 – это N-канальный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением сток-исток 1000 В и током стока до 1 А. Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и других высоковольтных приложениях.

Основные особенности:

• Высокое напряжение 1000 В
• Низкое сопротивление открытого канала (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Корпус TO-220 (возможны варианты исполнения)

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1000 В | | Макс. ток стока (I_D) | 1 A | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 10 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт (при T_C = 25°C) | | Температура перехода (T_J) | -55°C ... +150°C | | Корпус | TO-220 |

Парт-номера (аналоги и совместимые модели)

• IXTA1N100 (оригинал от IXYS)
• IRFBC40 (International Rectifier, 600 В, 6.2 A) – частичная замена
• STP1NK100 (STMicroelectronics, 1000 В, 1 A)
• 2SK2225 (Toshiba, 900 В, 1 A)
• FQP1N100 (Fairchild/ON Semi, 1000 В, 1 A)

Совместимые модели в схемах

• В блоках питания SMPS
• В высоковольтных DC-DC преобразователях
• В инверторах и H-мостах (в паре с P-канальными MOSFET)
• В схемах управления двигателями

Если требуется более мощный аналог, можно рассмотреть IXTA2N100 (2 A, 1000 В) или IXTH2N100 (TO-247, 2 A, 1000 В).

Нужна дополнительная информация? Уточните, интересуют ли конкретные параметры или применение.