IXYS IXSN80N60BD1

Описание

IXYS IXSN80N60BD1 – это N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 600 В и током стока 80 А. Применяется в мощных импульсных преобразователях, инверторах, драйверах двигателей и других высоковольтных системах.

Технические характеристики

• Тип: N-канальный MOSFET
• Макс. напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Макс. ток стока (I_D): 80 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток (R_DS(on)): 0.065 Ом (при V_GS = 10 В)
• Макс. мощность рассеивания (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4 В
• Заряд затвора (Q_g): 130 нКл
• Корпус: TO-247
• Диод обратного восстановления: Встроенный (Body Diode)

Парт-номера (альтернативные обозначения)

• IXSN80N60BD1
• IXSN80N60B (возможна аналогичная версия без дополнительных модификаций)

Совместимые аналоги

• Infineon IPW60R041CFD7A (600 В, 80 А, R_DS(on) = 0.041 Ом)
• STMicroelectronics STW80N60DM2 (600 В, 80 А, R_DS(on) = 0.052 Ом)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH80N60F (600 В, 80 А, R_DS(on) = 0.073 Ом)
• IRFP460 (500 В, 20 А, менее мощный аналог)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление двигателями
• Высоковольтные системы управления

Если вам нужны более точные параметры, рекомендуется проверить даташит производителя (IXYS / Littelfuse).