IXYS ixfn36n100

Описание и технические характеристики IXYS IXFN36N100

Описание:
IXFN36N100 — это N-канальный MOSFET транзистор с напряжением 1000 В и током стока 36 А, выполненный в корпусе TO-264. Применяется в мощных импульсных источниках питания, инверторах, промышленных и автомобильных системах. Обладает низким сопротивлением открытого канала (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (V_DSS) | 1000 В | | Макс. ток стока (I_D) | 36 А (при 25°C) | | Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 0.08 Ом (при V_GS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-264 (3 вывода) | | Температурный диапазон | -55°C до +150°C | | Тип переключения | Управляемый затвором |

Аналоги и совместимые модели:

Парт-номера (аналогичные модели):

• IXYS IXFN38N100 (38 А, 1000 В)
• Infineon IPW60R041C6 (600 В, 41 А)
• STMicroelectronics STW36N100 (36 А, 1000 В)
• Fairchild FCH36N100 (36 А, 1000 В)
• IRFP460 (500 В, 20 А, менее мощный аналог)

Совместимые модели в схемах:

• В импульсных блоках питания (SMPS)
• В инверторах и драйверах двигателей
• В сварочных аппаратах и высоковольтных преобразователях

Примечание:

При замене на аналоги необходимо учитывать различия в характеристиках (например, напряжение, ток, R_DS(on)). Рекомендуется проверять datasheet перед установкой.

Если нужны дополнительные параметры (емкость затвора, время переключения и т. д.), уточните запрос.