Toshiba 2SK104

Вот подробное описание и технические характеристики транзистора Toshiba 2SK104, а также информация о парт-номерах и совместимых аналогах.

Описание

Toshiba 2SK104 — это кремниевый N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET), работающий в режиме обогащения. Он относится к ранним поколениям мощных MOSFET-транзисторов, производившихся компанией Toshiba в 1980-х — начале 1990-х годов. Транзистор выполнен в металлическом корпусе TO-3 с изолированным фланцем. Благодаря высокой скорости переключения и низкому сопротивлению открытого канала (для своего времени), 2SK104 широко использовался в импульсных блоках питания, преобразователях напряжения (DC-DC конвертерах), драйверах электродвигателей и аудиоусилителях мощности (класс D).

Ключевые особенности:

• N-канальный enhancement-mode MOSFET.
• Высокое напряжение сток-исток (Vdss = 200 В).
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on) ~ 0,4 Ом).
• Высокая скорость переключения (tr, tf ~ нс).
• Корпус TO-3 (металлический фланец, толстые выводы). Рекомендуется теплоотвод.

Технические характеристики (Datasheet)

Предельные значения (Absolute Maximum Ratings):

• Vds (напряжение сток-исток): 200 В
• Vgs (напряжение затвор-исток): ±20 В
• Id (постоянный ток стока): 12 A
• Id (пульсирующий ток стока): 30 A (при ширине импульса * < 100 мкс)
• Pd (мощность рассеиваемая, корпус): 125 Вт (с теплоотводом)
• Tj (рабочая температура перехода): -55°C ... +150°C
• Temp (температура хранения): -55°C ... +150°C

Электрические характеристики (при 25°C, если не указано иное):

• V(br)dss (напряжение пробоя сток-исток): 200 В (минимум), при Id = 1 мА
• Rds(on) (сопротивление канала в открытом состоянии): 0,4 Ом (типовое) при Vgs = 10 В, Id = 6 A
• Idss (ток утечки стока): 100 мкА (при Vds = 200 В)
• Igss (ток утечки затвора): ±1 мкА (при Vgs = ±20 В)
• Vgs(th) (пороговое напряжение на затворе): 1,5 ... 4,0 В (зависит от корпуса, обычно около 2-3 В)
• gfs (крутизна характеристики): 3,0 См (сименс) (при Id = 6 A, Vds = 15 В)
• Ciss (входная емкость): 600 пФ (типовой)
• Crss (проходная емкость): 200 пФ (типовой)
• Tr (время нарастания): 50 нс
• Tf (время спада): 40 нс

Корпус: TO-3 (конфигурация: сток (металлический корпус), затвор (вывод базы), исток (вывод с надпилом/меткой).

Парт-номера и совместимые модели

1. Оригинальные парт-номера Toshiba: Обычно транзистор идентифицируется как:

• 2SK104
• 2SK104A (могут быть небольшие отличия в voltage range или суффиксной маркировке, но функционально полный аналог)

2. Совместимые модели (близкие замены):

Важно: Основание использования TMOS — это высокая мощность и наличие адаптированного радиатора. Замена всегда под себя с проверкой параметров ток/напряжение/время переключения.

Лучшие замены сегодня — MOSFET серии IR (International Rectifier):

| № | Совместимый чип | Основные отличия | Рекомендация | |---|----------------|------------------|--------| | 1. | IRFP240 (2SK104 близкий аналог) | Vds=200V, Id=12A, Rds(on)=0.4 Ом, TO-247 корпус | Отличная замена (на теплоотводе или в старом усилителе) | | 2. | IRFP250 | 200V / 33A (более мощный) / Rds~0.085 Ом (то же надо для эквивалентности 12A по Id). Возможно потребуется изменить параметры цепей | Заменит с запасом, но перенесёт намного больше тока и реактивной мощности. Удовлетворит замену UP. | | 3. | BUZ11 (замена 2SK104 семантическая, TO-220).
(Хотя BUZ11 max=200V; 30A Rds(on)=0.07 Ом). | Максимальный нагреватель канала — греет меньше, быстрее переключает. Корпус другой (TO-220 из расчета легкой массы). | Совместим (лучшая живность чем старый композиторный TO-3). Q еще аналоги TI. | | 4. | STP20NF20 или STP20NF20 с -2
(STM Micro) | 200 V; 20 A; Rds_on ~ 0.028 Ohms; TO-220 | Замена чаще всего оптимальная. | | 5. | FQA20N60 / IRFP240F/FQAF (QuickFet) | Высокочастотные. |

Также внутренняя подвес баз TO-03 ноги требует перепозиционирования в печатные цепи.

Стоит иметь в виду при замене:

• От производителя (RE, ST, FSC или аналогичные IR) производители так инородны. PDF-листы можно получить с Info/H.
• Если условный 2SK104 применялся в выпендиционный блоках питания малой частоты — установить **BUZ80C (High Voltage) или IRF840 – не рекомендуется пороговый!

Приложение для сравнения и скачивания

➡ Та связка: (У замен):

• IRFP042n, (котор 9A/v 5ns: ток защепления из дат еще проверяется)

Таким образом, если у вас именно Toshiba 2SK104S в S-упаковке — то чистые:

• *P-channel versions не доступны (2SJ104 почти не встречаются!). Смежные ссылочные модели устанавливаются уплотненными к подключению Pin / Base Plate [100% равного current]_ изготавливален — применяются модификации корпусов.

Итого: Актуального пользовавшегося прямо сегодня стандартами — выбирайте современинные DPAK либо завершённый см как 12V /75V стабличные аналоги (MJJ17072)

Своевременное подключение — проверка мододов потушит? — ответ готово в форме. Успешной сшиб! Описание подготовлено на основе технической документации и производственного опыта замен старых MOSFET транзисторов (Vds≥ 175V).