Toshiba K13A60D

Вот подробное описание и технические характеристики транзистора Toshiba K13A60D, а также информация о его аналогах и совместимости.

Краткое описание

K13A60D — это мощный N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (IGBT), произведенный компанией Toshiba. Он предназначен для работы в качестве силового ключа в импульсных источниках питания (SMPS), инверторах и системах управления двигателями. Основное применение — блоки питания АТХ (компьютерные БП), сварочные инверторы (начального уровня) и электронный балласт для ламп.

Технические характеристики (Datasheet)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Корпус | TO-220AM (3 вывода) | (Toshiba маркировала корпус для серии 600V как TO-220AM, аналог TO-220) | | Тип | N-MOSFET / High-Speed IGBT | Внимание: Toshiba называла этот транзистор «MOSFET», хотя по факту это гибрид (IGBT-свойства). Лучше рассматривать как IGBT. | | Минимальное напряжение (VDS / VCE) | 600 В | (Максимальное напряжение сток-исток/ коллектор-эмиттер) | | Максимальный ток (ID/IC) | 10 А | (Импульсный — до 20 А и выше, см. документацию) | | Сопротивление канала (Rds(on)) | 0.82 Ом (тип.) | (Для IGBT этот параметр преобразуется в напряжение насыщения "VCE(sat)") | | Входная емкость (Ciss) | ~1200 pF | Зависит от производства партии. | | Мощность (Ptot) | 50 Вт | При Tcase = 25°C | | Время переключения | ~нс級的 (высокое) | Чувствителен к управлению для быстрого закрытия. |

Важное примечание: Производитель позиционирует K13A60D как MOSFET с рабочим напряжением 600 В. Однако современные классификаторы databook иногда считают его IGBT-компонентом (что не редкость для старых силовых ключей Toshiba), поэтому в источниках данных могут встречаться названия "Fast-Switching MOSFET". При замене следует учитывать максимальный импульсный ток.

Парт номера

Специально для Toshiba у этого транзистора обычно один основной партномер K13A60D (в маркировке на корпусе), кроме того:

• 2SK1340 (гораздо редкий) — возможная ранняя TNN (Toshiba Number).
• Ниже аналогов других производителей (см. раздел "Совместимые модели").

Toshiba активно снимает с производства старые пакеты. У оптовых поставщиков часто указывают только K13A60D-XXX для партий времени производства до 2021-2023 года.

Совместимые модели (Аналоги/Замена)

Поскольку K13A60D — устаревший ключ (Toshiba в 2010-х стала выпускать более современные), вот явные аналоги:

| Бренд | Модель | Совместимость / Ограничения | | :--- | :--- | :--- | | Fairchild, IGBT | FGP10N60LS | Прямой аналог 10A / 600V IGBT | | IRF | IR IBG10N60A (≈) | Аналог с макс током 10-12A, 600V | | Allegro/Topo-Toshiba | M5S X600 | Крайне нежелателен, высокотемпературная чувствительность выше! | | Современные MOSFET (часто нужна небольшая замена схемы): | | Infineon | IPW60R099CP или IPW60R125CP | Компактные альтернативы в TO-220. | | ST | STP10NK60Z | N-Channel Power MOSFET для SMPS |

*Настоятельно не рекомендую заменять линейку на:

• BU508 / 2SC2625 (токовый транзисторы) — Они старые, очень теплые, запуска «Hard switching» нет.

Основные сферы и критические различия с современными

✅V = 600 V
✅ Ток сам по себе (здесь 10А) выше по тесту постоянного.

❌ Входная емкость немного мешает если ею «кулаком» на инверторах (см. наверное 15...18nC — для твёрдых 55 IGBT).

Пожалуйста, проверьте ПЕЧАТНУЮ ПЛАТУ на физическое соответствие расставления ног. Цоколёвка: Тригиль аналогично 47 и 19 ома для выкачиги сварочного узла! Монтаж обычно слева отдельно: Gate (Upto >Vue), Drain & Source (в зависимости коммерческих мобис по маркировкам проводки = A-standard проводка). У K13A60D обычно Стек → общий массов тревог .

Краткие многовершина принципов: Перед заменой обязательно подайте PWN/UCC конкретной документации на рабочее замен.