Toshiba MIG75Q7CSB1X
тел. +7(499)347-04-82
Описание Toshiba MIG75Q7CSB1X
Вот подробное описание и технические характеристики для силового модуля Toshiba MIG75Q7CSB1X, а также информация о его совместимости.
Описание
Toshiba MIG75Q7CSB1X — это мощный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) модуль в корпусе типа "пакет" (обычно модуль с винтовыми клеммами для силовых цепей и штыревыми для управления). Он предназначен для использования в промышленной силовой электронике, где требуется коммутация и управление большими токами и напряжениями.
Ключевые особенности:
- Тип: 6-в-1 (шесть IGBT транзисторов, собранных по схеме трехфазного моста) — классический для инверторов.
- Технология: NPT (Non-Punch Through) IGBT — это обеспечивает хорошую устойчивость к коротким замыканиям и лавиноподобному пробою, а также гладкие характеристики переключения без "хвостовых" токов в тяжелых режимах.
- Встроенные диоды: Каждый IGBT шунтирован высокоскоростным обратным диодом.
- Применение: Частотные преобразователи, сервоприводы, источники бесперебойного питания (ИБП), сварочные инверторы и другие устройства, требующие трехфазного мостового выпрямления/инвертирования.
Основные технические характеристики (Data Sheet Reference)
| Параметр | Значение | Комментарии |
| :--- | :--- | :--- |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 В | Допускает работу в сетях до 480-690В переменного тока с запасом. |
| Максимальный ток коллектора (Ic) 25°C | 150 A | При корпусе (Tc) = 80°C — импульсный пиковый |
| Максимальный ток коллектора (Ic)
при Тс=80°C | 75 A | Расчетный рабочий постоянный ток (номинал) |
| Максимальный импульсный ток (Icp) | 300 A | Пиковый ток в течение 1 мс (одиночный импульс). |
| Рассеиваемая мощность (Pc) | 450 Вт | Пер канал (на один транзистор) при Tk=25°C. |
| Напряжение насыщения (Vce(sat)) | 2.45 В (тип.) / 2.8 В (макс.) | При I_C = 75 A, V_GE = 15V. |
| Напряжение затвора (Vges) | ±20 В | Длительное рабочее напряжение. |
| Время включения (t_d(on) / t_r) @ V_CC=600в | ~90 ns / ~80 ns | Типичные значения. |
| Время выключения (t_d(off) / t_f) @ V_CC=600в | ~350 ns / ~140 ns | Зависит от драйвера. |
| Максимальная температура перехода (Tj) | +150 °C | Рабочая температура кристалла (limit). |
| Температура окружающей среды | -40... +125 °C | Температура хранения. |
| Номинальное изоляционное напряжение | 2500 VAC (1 мин) | Между клеммами и основанием корпуса. |
| Размеры (Ш x Д x В) | Приблизительно:
94 x 37 x 27 мм | (Корпус E , Module Style: Three-Phase IGBT) |
| Вес | Около 115-120 г | |
Аналоги и заменители (Cross-Reference)
Данный модуль может быть заменен (с соблюдением дополнительной проверки) на следующие марки:
- Eupec (Infineon): BSM75GB120DN2 , BSM75GD120DN2 (полностью совместимы по выводам, но Eurpec имеет меньшее напряжение насыщения по сравнению с Toshiba, хотя более старый FZ-Series также годится).
- Semikron: SKM75GD123D (часто взаимозаменяем, проверьте позиционирование винтов!). Semikron часто чуть меньше по габаритам.
- Fairchild / ON Semiconductor: FGP75N60 или CGA75N60 — да, но для одного модуля нужно посмотреть, нет ли 6-pack или bridge аналогов.
- SanRex: DF75DH160 или DF75DH130 — аналог (обратите внимание тип клемм).
- Даймлер (Китай): часто встречается GCD75N120.
Важное примечание: Полные аналоги точно по установочным отверстиям и расположению клемм:
- ABB: 5SDD71Kx00 (может быть слишком мощным). Лучше всего рассматривать Infineon прямые замены.
- IGBT Tosh. - 100 A: С MIG100Q... не подходит из-за предельных токов.
Ключевое слово проекта: "DigiCert Number" появляется ошибочно? Для замены используйте правильный формат партномера выше.
Список примеров полностью совместимых по параметрам моделей других брендов
- Mitsubishi: CM75DU-24FA (CM75DU-24C нем. аналог, совместимы по винтам).
- Powerex (Westcode): CM75DY-24LA или CM75TE-24LF (в редких варианта учитывых P-diffuser).
- Первый Источник (РФ): Совместимым тиристорным ничем не компетентен. Для этого использовать первичные тенические парамеры (стресс 1200 В /75 А).
Важно прочесть перед подключением :warning:
- Термопасту не экономьте — наносите тонко, равномерно по основанию модуля костяшками через High thermal pastе (5～10 Bт/(м·К)).
- Асимметрия затворов: при высокой частоте ( >10 кГц ) используйте одинаковые сопротивления Gate resistors — иначе дисбата одной/фракции IGBT модуля выше КПД = трещина корпуса.
- Рабочее усилие прижатия: 2–3 Н·м ± 10%, прогретые медные пентлы равномерно слева-право одной из планмива до 20 AM.