Semiconductor 2N2955

Semiconductor 2N2955
Артикул: 1664524

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2N2955

Конечно, вот подробное описание транзистора 2N2955, его технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Общее описание

2N2955 — это кремниевый p-n-p транзистор общего назначения, предназначенный для работы в схемах усиления и переключения низкой и средней мощности. Он является комплементарной парой к широко известному n-p-n транзистору 2N3055. Эта пара (2N3055/2N2955) долгое время была и остается отраслевым стандартом для построения симметричных выходных каскадов усилителей мощности, стабилизаторов напряжения и других аналоговых схем.

Ключевые особенности:

  • Тип проводимости: P-N-P.
  • Корпус: Чаще всего в TO-3 (металлический, для мощного монтажа на радиатор), также встречается в TO-66 и пластиковых корпусах (например, TIP2955 в TO-247).
  • Основное применение: Усилители мощности звуковой частоты (выходные каскады классов AB, B), линейные стабилизаторы напряжения, управление двигателями, силовые ключи в импульсных схемах.

Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings)

Характеристики приведены для корпуса TO-3. Параметры могут незначительно отличаться у разных производителей.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | VCEO | 70 (мин.) / 100 (тип.) | В | | Напряжение коллектор-база | VCBO | 100 | В | | Напряжение эмиттер-база | VEBO | 7 | В | | Постоянный ток коллектора | IC | 15 | А | | Максимальная рассеиваемая мощность
(при Tк ≤ 25°C) | PD | 115 | Вт | | Температура перехода | Tj | 200 | °C | | Температура хранения | Tstg | -65 до +200 | °C |

Основные электрические параметры (при T=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Условия тестирования | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коэффициент усиления по току (hFE) | IC = 4А, VCE = 4В | 20 | - | - | - | | | IC = 10А, VCE = 4В | - | - | 70 | - | | Насыщающее напряжение коллектор-эмиттер
VCE(sat) | IC = 4А, IB = 0.4А | - | 0.5 | 1.1 | В | | | IC = 10А, IB = 1.0А | - | 1.1 | 2.0 | В | | Напряжение смещения (VBE(sat)) | IC = 4А, IB = 0.4А | - | 1.8 | 2.2 | В | | Частота среза по коэффициенту передачи | IC = 0.5А, VCE = 5В | 2.5 | - | - | МГц |


Парт-номера и Совместимые модели

1. Прямые аналоги (с тем же или очень похожим номером):

  • 2N2955A — улучшенная версия с более высоким напряжением VCEO (обычно 100В гарантировано) и лучшими характеристиками.
  • 2N2955G — версия от конкретных производителей (например, Motorola/ON Semi), часто аналогична "A"-версии.
  • MJ2955самый популярный и рекомендуемый аналог/преемник. Имеет улучшенные характеристики (более высокие SOA — область безопасной работы, лучшее усиление на высоких токах). Фактически является модернизированной заменой для 2N2955 в большинстве новых разработок.
  • MJ2955G, MJ2955T — варианты транзистора MJ2955.

2. Совместимые по выводам и функции (включая комплементарные пары):

  • Комплементарная пара: 2N3055 (n-p-n) и MJ3055 (n-p-n).
  • Современные мощные пары в пластиковых корпусах:
    • TIP2955 (P-N-P, TO-247) / TIP3055 (N-P-N, TO-247) — прямая замена в новых конструкциях, легче в монтаже.
    • 2N6039 (P-N-P) / 2N6040 (P-N-P Дарлингтон) / 2N6041 (P-N-P Дарлингтон) — в корпусе TO-220.
    • BD246C, BD246D (P-N-P, TO-220).
  • Другие мощные P-N-P транзисторы в TO-3: 2N5875, 2N5876, 2N6251, 2N6274.

3. Зарубежные/советские аналоги:

  • КТ818Г, КТ818В, КТ818Б — советские/российские мощные p-n-p транзисторы в металлическом корпусе. Не являются прямыми аналогами по распиновке (расположение Б-К-Э отличается от TO-3). Требуют проверки цоколевки и адаптации схемы или монтажа.
  • КТ827А, КТ827Б — составные p-n-p транзисторы (Дарлингтон), имеют значительно большее усиление, но могут использоваться в схемах, где это допустимо.

Важные замечания для применения:

  1. Обязательное использование радиатора. Без теплоотвода транзистор сможет рассеять лишь 1-2 Вт.
  2. Область безопасной работы (SOA). При работе с высокими напряжениями и токами необходимо сверяться с графиком SOA в даташите, чтобы избежать вторичного пробоя и выхода из строя.
  3. Проверка цоколевки. Классическая распиновка для корпуса TO-3 (металлический): если смотреть на транзистор со стороны выводов, а корпус — "шляпкой" вниз, то слева — база, справа — эмиттер. Коллектор электрически соединен с металлическим корпусом.
  4. Современные замены. Для новых проектов настоятельно рекомендуется использовать более современные аналоги, такие как MJ2955 (в TO-3) или TIP2955 (в TO-247), так как их параметры часто лучше и стабильнее, а даташиты более подробны.

Вывод: 2N2955 — классический, проверенный временем мощный P-N-P транзистор. При ремонте старой аппаратуры его можно заменять на MJ2955 или TIP2955 (с учетом монтажа). В новых разработках лучше сразу выбирать его современные аналоги.

Совместимые модели для Semiconductor 2N2955

Semiconductor 2N2955

Товары из этой же категории