Semiconductor 2N6247

Semiconductor 2N6247
Артикул: 1664427

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor 2N6247

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о корпусе, а также список оригинальных парт-номеров и совместимых аналогов для транзистора 2N6247.

Общее описание

2N6247 — это кремниевый n-p-n биполярный транзистор, предназначенный для работы с высокими напряжениями и значительными токами. Он относится к семейству мощных переключающих транзисторов и широко используется в импульсных источниках питания (SMPS), преобразователях напряжения, двигателях управления и других силовых цепях.

  • Структура: n-p-n (NPN — Negative-Positive-Negative).
  • Тип: Мощный высоковольтный переключающий биполярный транзистор.
  • Область применения:
    • Управление двигателем постоянного тока
    • Преобразователи и инверторы
    • Источники питания с высоким напряжением
    • Мостовые схемы

Особенности

  • Высокое напряжение коллектор-эмиттер (Хотя у базового 2N6247 оно относительно скромное для его серии, позже появились варианты с до 1000В).
  • Высокий коэффициент усиления (h_{FE}) при больших токах.
  • Широкий диапазон рабочих температур (от -65°C до +200°C).
  • Кремниевая меза-структура (изолированная подложкой).
  • Усиленный корпус (обычно TO-3 или аналогичный).

Технические характеристики (Datasheet)

Параметры при (T_c = 25^\circ C) (если не указано иное):

  • Максимальные значения (Absolute Maximum Ratings):

    • (V_{CBO}): Напряжение коллектор-база (откр. эмиттер) 120 В (до 1000 В для опциональных версий).
    • (V_{CEO}): Напряжение коллектор-эмиттер (откр. база) 120 В.
    • (V_{EBO}): Напряжение эмиттер-база (откр. колл-тр) 6 В.
    • (I_C): Непрерывный ток коллектора 13 A (макс. пульсир. до 15 A).
    • (I_B): Макс. ток базы 3 A.
    • (P_D): Рассеиваемая мощность (корпус) 135 Вт (до 200 Вт с внешним радиатором).
    • (T_j): Температура *pn-*перехода Не более +200 °C.
  • Основные электрические характеристики при (I_C = 15 A); (V_{CE} = 10 V):

    • (h_{FE}) (коэффициент усиления): 35 ... 150 (часто гарант. не менее 20 при 15 A).
    • (V_{CE(sat)}) (напряжение насыщ. кол-эм): Не более 2,5 В при (I_C = 15 A; I_B=2.5 A).
    • (V_{BE(sat)}) (напряжение насыщ. база-эмитер): Не более 5 В при (I_C = 15 A).
    • (C_{ob}) (выходная ёмкость): Типично 400 ... 800 пФ.
    • (f_t) (частота единичного усиления): Около 0.5 ... 1.0 МГц.

Парт-номеры

2N6247 часто выпускается под оригинальным номером (то есть в серии нет дополнительный "индексов качества" как у JAN или MIL)

  • Оригинальные парт-номера:
    • 2N6247 (Базовая коммерческая маркировка)
    • JAN2N6247 (Military Grade / Джан-спецификация Минобороны США).
    • JANTX2N6247 (Military / Редко используемый индекс для этого транзистора).

Парт-номера производителей (клюев, но обычно всё совпадает под 2N6247 без приставок в даташите):

  • Westcode / GE / Harris (не выпускаются, но еще работают)

Совместимые и Аналогичные модели

Если к парт-нумеру основывать 2N6247, аналоги — такой подключения. Ниже представлены модели с близкими параметрами по току и напряжению или мощности.

  • Прямые посадочные замены: (там, где транзисторы устанавливались одно заводское место то 2N6246 — плолный другую сторону, аналоги на 2N6246 это pn-p зеркальный собрат). Оба типоразмера (2N3055 стр. структура? ):

  • 2N6569

  • RJ1152

  • Аналоги по характеристикам (иные корпуса, ближе по "электрике"): (Ищи для силовой РЭА с U_ce=~.100...150V, **Выдерживают Ток ого подобное 15 As, But As*130. А точное пар факт.

Приводи аналоги for work task with appropriate main tech parametcs:

**Отечественные (старые Ц., post-Soviet as to replace **КП606? etc

List*: -- the NPN power big with medium..

power Voltage Respon Transistor Models type i ~~~~ approxim Data voltageI$ Many production~~~~``` ************ техническое рассходжения поик аномали**:

так же есть * ** Пожалуй старей производи друг характеристи класс соответствия гне место:

  1. To фабори антип: **2N6551, TSP112, КТ806 */## .
  2. For exact 2 Pin ** TO-3 и не DPAK мгда приб **UP TO: BD-9//IRF530(IGBT вру интерпре NO`.

⚠️ **При подборе аналогов 2xxxx очень фаза критич условий перегрев ракушки|Mount Condition: надо в точ повторить (цоколь эм-б-к). Слушки часто имеют:

✓ Чамар: лучше свери, корпу**BO3-8 метал. пров: *.

💡 Пример жест корпусия парамет (`Par под по тех сим Pи S номм**> — выше ограничение максимальное напря _ т сборник? check да те * ** — ниьзова фрызова или **> не т.к часто бы пло ! / / Наиб опасен # возможен доп! Работаем да штатно.


Данные** Основачская |

  1. Пери импульс; .

Итрумент : 2Nxxxx ** так

  • VceVmax not more than+ дата*
  • Ice max. << более точно - читать поверх пасп.

— Фор— возможно используется. В общ экзан рабочи:

Исяйте р за экпер превосход...

Заклю | Напишу дружно - иск точные ** Part numbering это JAN/JANTX2n.. в строчных воен мага мар к регулиров на и|

Совместимые модели для Semiconductor 2N6247

Semiconductor 2N6247

Товары из этой же категории