Semiconductor AON6312

Отличный выбор! Alpha & Omega Semiconductor (AOS) AON6312 — это очень популярный и надежный N-канальный MOSFET, широко используемый в силовой электронике.

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели.

Описание и область применения

AON6312 — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем (Logic Level), выполненный по передовой технологии AOS. Ключевые особенности, делающие его столь популярным:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Всего 1.8 мОм при напряжении затвора 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокая нагрузочная способность: Непрерывный ток стока (Id) до 50А при температуре корпуса 25°C. В реальных условиях с теплоотводом он стабильно работает на высоких токах.
• Низкое пороговое напряжение (Vgs(th)): От 1.0 до 2.0 В. Это позволяет управлять транзистором напрямую от микроконтроллеров (3.3В или 5В) без использования дополнительных драйверов, что упрощает схему.
• Быстрое переключение: Благодаря малой входной емкости, что важно для ШИМ-управления.
• Корпус: Выполнен в компактном и технологичном корпусе DFN 5x6 (Dual Flat No-Leads) с термопадой для эффективного отвода тепла на плату.

Основные области применения:

• Цепи управления питанием (DC-DC преобразователи, POL)
• Силовые ключи в материнских платах, видеокартах
• Управление двигателями (например, в дронах, небольших электроприборах)
• Защита от обратной полярности (ideal diode)
• Стабилизаторы напряжения и цепи нагрузки
• Автомобильная электроника (управление светом, соленоидами)

Ключевые технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET, Logic Level | | | Корпус | DFN-8L (5x6) | Также известен как DFN5x6-8L | | Структура | Сильно-легированный исток (HD-Gate) | | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 30 В | Максимальное допустимое | | Ток стока (Id) | 50 А | При Tc=25°C | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.8 мОм | Max, при Vgs=10В, Id=25А | | | 2.3 мОм | Max, при Vgs=4.5В, Id=17А | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Тип. 1.5В | | Напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | Максимальное (не превышать!) | | Заряд затвора (Qg) | ~40 нКл | При Vgs=10В, влияет на скорость переключения | | Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) | ~3.6 Вт | Зависит от условий охлаждения | | Диод истока-стока | Встроенный (Body Diode) | |

Парт-номера и прямые аналоги

Часто один и тот же компонент имеет разные маркировки у дистрибьюторов или входит в состав сборок.

Основной парт-номер для заказа:

• AON6312 (полное наименование)

Прямые аналоги и совместимые модели (с очень близкими параметрами и таким же цоколевкой DFN5x6):

Производители постоянно обновляют линейки, поэтому при замене всегда нужно сверять даташиты. Ниже приведены модели, которые часто используются как взаимозаменяемые.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | IPP030N03L | Очень популярный аналог, 30В, 3.0 мОм, в корпусе TO-220, но есть и в D²PAK. Внимание на корпус! | | | IPD030N03L | Тот же кристалл, но в корпусе D²PAK. | | Vishay / Siliconix | SiR418DP | 30В, 2.1 мОм, в корпусе PowerPAK® SO-8. | | ON Semiconductor | NTMFS4C02N | 30В, 1.8 мОм, в корпусе SO-8FL. | | STMicroelectronics | STL85N3LLH5 | 30В, 2.2 мОм, в корпусе PowerFLAT 5x6. Самый близкий по корпусу и параметрам. | | Texas Instruments | CSD17313Q3 | 30В, 2.3 мОм, в корпусе SON 3.3x3.3 (очень мал). Внимание на корпус! | | Nexperia | PSMN3R0-30YLE | 30В, 3.0 мОм, в корпусе LFPAK56 (аналог PowerSO8). |

Важные замечания по замене и совместимости

1. Корпус (Footprint): Это самый важный момент. DFN5x6 и SO-8 (или их силовые версии PowerSO8, LFPAK) имеют разную цоколевку. Перед заменой обязательно сверяйтесь с drawing-листом (чертежом корпуса) в даташите.
2. Электрические параметры: Даже у очень близких аналогов могут отличаться:
   • Rds(on) при вашем рабочем Vgs (например, 3.3В или 5В).
   • Внутренние емкости (Ciss, Coss, Crss), что влияет на динамические потери.
   • Параметры встроенного диода (скорость восстановления).
3. Рекомендация: STL85N3LLH5 от STMicroelectronics является одним из наиболее полных аналогов, так как совпадает не только по электрическим параметрам, но и по типоразмеру корпуса (PowerFLAT 5x6 = DFN5x6).

Где искать информацию:

• Официальный даташит AON6312 на сайте производителя AOS или агрегаторов типа Octopart, LCSC.
• Поиск аналогов на сайтах дистрибьюторов (Mouser, Digi-Key, ChipFind) или через сервисы типа "Mosfet Cross Reference".

При проектировании новой платы рекомендуется выбирать модель, которая есть в наличии у нескольких производителей, чтобы избежать проблем с поставками.