Semiconductor dm8131n

Отличный выбор! DM8131N — это классический и широко известный силовой N-канальный MOSFET, который до сих пор находит применение во многих устройствах. Вот подробное описание и технические характеристики.

Общее описание

DM8131N — это N-канальный MOSFET (металл-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для ключевых приложений средней мощности. Он является популярным решением благодаря хорошему балансу цены, надежности и параметров.

Ключевые особенности и применение:

• Тип: Усилительный, нормально закрытый (для включения требуется положительное напряжение на затворе относительно истока).
• Основное назначение: Используется в схемах ключей (включения/выключения) и линейных стабилизаторов.
• Типичные области применения:
  • Выходные каскады импульсных источников питания (SMPS).
  • Силовые ключи в контроллерах мотора (например, в кулерах, небольших приводах).
  • Схемы управления нагрузкой (реле, светодиодные ленты, лампы).
  • Схемы DC-DC преобразователей (понижающих, повышающих).
• Преимущества: Простая в использовании, низкая стоимость, высокая надежность, низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)).

Технические характеристики (Типовые/Максимальные)

Параметры приведены для типичных условий (если не указано иное). Важно: Всегда сверяйтесь с даташитом конкретного производителя!

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-Channel MOSFET | - | Усилительный | | Корпус | - | TO-252 (DPAK) | - | 3 вывода, с монтажным фланцем | | Макс. напряжение | V_DSS | 30 | В (Вольт) | Напряжение "сток-исток" | | Макс. ток (постоянный) | I_D | 45 | А (Ампер) | При T_c = 25°C | | Макс. импульсный ток | I_DM | 180 | А | | | Сопротивление в открытом состоянии | R_DS(on) | ~0.008 (8 мОм) | Ом | При V_GS = 10 В, I_D = 20 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.0 - 2.5 | В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Макс. напряжение затвор-исток | V_GSS | ±20 | В | Важно! Превышение ведет к необратимому пробою. | | Общая рассеиваемая мощность | P_D | ~50 | Вт | Зависит от условий охлаждения (радиатора) | | Температура перехода | T_J | от -55 до +175 | °C | | | Емкость затвора | C_iss | ~1500 | пФ | Входная емкость. Влияет на скорость переключения. |

Прямые аналоги и совместимые модели (Cross-Reference)

DM8131N — это, по сути, клон/аналог знаменитого MOSFET от International Rectifier (ныне Infineon). Его парт-номер и самые популярные прямые замены:

• Основной оригинал / Аналог:

  • IRF3205 — самый распространенный и полный аналог. Имеет практически идентичные или даже чуть лучшие характеристики (55В, 110А, Rds(on) ~8 мОм). В 99% случаев это взаимозаменяемая замена.
  • IRFZ44N — также очень популярен, но имеет более высокое Rds(on) (~22 мОм) и рассчитан на меньший ток (49А). Может быть использован в менее требовательных схемах.
  • STP55NF06 (STMicroelectronics) — хороший аналог с близкими параметрами.

• Другие совместимые модели (от разных производителей):

  • FDP047N10 (Fairchild/ON Semi)
  • NTP55N06 (ON Semiconductor)
  • IPP055N06N (Infineon)
  • AOD4184 (Alpha & Omega Semiconductor)
  • RU6188R (Renesas)

Важное примечание по замене: Перед заменой всегда проверяйте:

1. Распиновку (pinout) корпуса — у TO-252 она стандартная (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но бывают исключения.
2. Ключевые параметры: Напряжение V_DSS должно быть не ниже, а ток I_D — не меньше, чем у оригинала. Rds(on) желательно сопоставимое или ниже.
3. Емкость затвора (C_iss): Если транзистор работает на высоких частотах, этот параметр важен для правильной работы драйвера.

Распиновка (Pinout) для корпуса TO-252 (вид на лицевую сторону):

      |¯¯¯¯¯¯¯¯|
GATE  |1       | 2 DRAIN (Фланец корпуса также является стоком!)
      |________|
SOURCE|3       |
      |________|

1. GATE (Затвор) — управляющий электрод.
2. DRAIN (Сток) — силовой вывод "+", часто соединен с металлическим фланцем для монтажа на радиатор.
3. SOURCE (Исток) — силовой вывод "-" или "общий".

Где используется?

Этот транзистор можно встретить в:

• Блоках питания компьютеров (ATX, особенно в цепях +12В).
• Инверторах (например, для автомобильных усилителей, ЖК-мониторов).
• Системах управления электродвигателями (дроны, электросамокаты, кулеры).
• Устройствах плавного пуска.
• Автомобильной электронике.

Вывод: DM8131N — это надежный "рабочий" транзистор для множества задач по управлению нагрузкой. При его замене или выборе аналога IRF3205 является наиболее безопасным и распространенным вариантом.