Semiconductor FDD6680A

Semiconductor FDD6680A
Артикул: 1661902

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor FDD6680A

Это профессиональное описание для полупроводникового компонента FDD6680A (производитель — ON Semiconductor, ранее Fairchild Semiconductor).

Этот компонент представляет собой N-канальный PowerTrench® MOSFET. Он оптимизирован для снижения потерь проводимости и переключения, что делает его популярным в цепях питания, DC/DC преобразователях и нагрузочных коммутаторах.


1. Описание (Summary)

FDD6680A — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), изготовленный по передовой технологии PowerTrench®. Данная технология обеспечивает минимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии ((R_{DS(on)})) и низкий заряд затвора ((Q_g)).

Это позволяет использовать транзистор в приложениях с высокой плотностью тока и повышенными частотами переключения. Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает компактный монтаж на печатную плату при хорошем теплоотводе. Транзистор имеет низкий порог напряжения открытия (логический уровень), что позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров (3.3V – 5V логика).

Основное применение: Бестрансформаторные импульсные источники питания (SMPS), DC-DC преобразователи, электронные нагрузки, системы управления моторами (низковольтные) и защита цепей от обратной полярности.


2. Технические характеристики (Key Specifications)

Обратите внимание: Данные указаны при (T_{25^{\circ}C}), если не указано иное.

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Тип проводимости | N-канал | | | Максимальное напряжение ((V_{DSS})) | 30 В | | | Непрерывный ток ((I_D)) | 40 А | ( \text{при температуре корпуса } T_C=25^{\circ}C) (в реальных условиях при (T_A \cong 70-80A)) | | Импульсный ток ((I_{DM})) | 160 - 214 A | Зависит от длительности импульса | | Сопротивление Rdson ((R_{DS(on)}) 10V) | типичное: 8 - 9 мОм
макс: 12 мОм | При (V_{gs}= 10V), (I_d = 20A) | | Напряжение отсечки ((V_{GS(th)})) | 1.0V (min) /4.0V (max)
типичное: ~2.6V | |
| *Это Logic Level (Логический уровень) | Да (н/у) | Открывается с 5V локики ((V_{GS} =4.5V)) / Начинает работать при 1.0-2V | | Мощность рассеяния ((P_D)) | до ~~60 – 83 Вт (при (T_C)) | Делится на теплоотвод | | Рабочая температура переход: (T_j) / корпуса: (T_{stg}) ((^{\circ}C)) | от -55 до +175°C | | Заряд затвора ((Q_g)) Типовой | ~31 нК | (V_{GS} = 10V) |

Особенности характеристик:

  • Ultra-Low Rdson (8.2 мОм типовое) - маленькие потери на нагреве даже при токах до >20А.
  • Low Noise/Pulse -> Отличные переключательные свойства без больших выбросов/звона.
  • ESD Protected (Устойчив к статике до контроля).
  • RoHS compliant, экологичен.

3. Corsa / Совместимость и возможные замены (Suggested Replacement & Competitors)

Поскольку FDD6680A — это специализированный стандарт токового ключа с низким сопротивлением открытого канала,** существует несколько прямых аналогов от других производителей, так же подходят другие в N-okay аналогичные дроссы/to и Logic Level (n-моп)**.

Drop-in аналоги с аналогичной компановкой:
(Если вы не уверены—>> * O_NС проводит альтернативный тест на MOSFET.)

| Nissan/форма | Rom ноги: :--------|:------ FDD6680A (on S’) собственный — правильный С ног | IRLR8726 (<14 Вход ) CORNECT/ FUBERO- *Vds50A drain Up t= 37W с больше\ выше Уклад**…) FW110-15148 NC etc, меньшинство*

1. OEM / Прямой заменитель (Pin-to-Pin TO-252 DPAK P Com = FDD), Socket match gate/leg Layout -- MOSFET не требует детпита: ON Semiconductor: `FFDPF...? N,O, Возможно сразу внешнюю пол?

  • Top competitors (аналоги N-MOS, Нин):
    NTMFS4820N, NTMFS4908N

  • From *(Trench, работают)`< отмали на похожий же:

    Combo Sub General N Canal c Low RDS(on):

Типовекс Sub (примечание- нужно пров-сть Max G Net Voltage/Leg pin TO-252?):

  • SUB60N03 / IRF2703?? / PSMN020-30PL (тиПа)

Несколько надежных аналогов:

| Part Number/Brand | Vds V/I (max DC )**/ $mΩ . | Port/plug+Прим | | :---------- | :--------- | :------------------------: | ```FDI6040`` (Аlt фо Аs Фок3) :--50 * ~9 M | Maste k (бек- ин 1-один вер боя—сво.

⚠️ КРИМИНАЛЬНЫ: не ставить унипол Н-канал без дросбела.

Если вы зом рлю версии: ставьтком ровные манагерЫ SIR426DP (Vishay), FB180SA10 (додич кк Инфо), BSC040N10NS5— От корпо вся очень ~ 56-430..

tg.


Where not direct not to same brands — actual see alttore gate caps same layout.

Рекорме МАКС: FDD6680A by ONS: оригинал ставь.
Замена рядом: IRFZ34N, STP80NF03L или колОлек КТ817Г (что никогда НЕ подойдет) не попал туда??

Совместимые модели для Semiconductor FDD6680A

Semiconductor FDD6680A

Товары из этой же категории