Semiconductor FGH40N60UFDTU

Вот подробное описание, технические характеристики, информация о парт-номерах и совместимых моделях для полупроводникового транзистора FGH40N60UFDTU, произведенного компанией ON Semiconductor (ранее Fairchild Semiconductor).

Краткое описание

FGH40N60UFDTU — это мощный N-канальный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) третьего поколения с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 80 А (при 25°C). Транзистор оснащен встроенным сверхбыстрым диодом (оптимизированным для обратного хода) и логическим уровнем управления затвором (требует всего 5 В для полного насыщения, что позволяет подключать его напрямую к микроконтроллерам или драйверам с пониженным напряжением).

Ключевые особенности (UF/UFS серия):

• Технология Field Stop (FS) и Trench Gate: Обеспечивает низкое напряжение насыщения (Vce(sat)) и высокую скорость переключения.
• Высокая энергия лавинного пробоя (EAS): Устойчивость к кратковременным перегрузкам.
• Встроенный сверхбыстрый диод: С низким обратным восстановительным зарядом (Qrr), оптимизированный для работы в резонансных и твердотельных индукционных цепях (например, индукционные плиты, сварочные инверторы).
• Логический уровень (5V Logic Gate): Полное насыщение (Vge(th) ~5-6V) при напряжении от 5V (TTL/CMOS совместимость).

Технические характеристики (Datasheet)

Предельные значения (Absolute Maximum Ratings, Tc=25°C, если не указано иное):

• Коллектор-эмиттер (Vces): 600 В
• Коллектор-база (VCBO): 600 В
• Ток коллектора (Ic @ Tc=100°C): 40 A
• Ток коллектора (Ic @ Tc=25°C): 80 A
• Импульсный ток коллектора (ICM): 160 A
• Ток диода (If): 40 A
• Напряжение затвор-эмиттер (VGES): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (Pc @ Tk=100°C): 150 Вт (TO-247)
• Температура перехода (Tj): от -55°C до +175°C
• Корпус: TO-247 (3 вывода)

Электрические характеристики (Типовые при Tj=25°C, если не указано иное):

• Напряжение насыщения (Vce(sat)):
  • (Ic=40A, Vge=15V) — Обычно ~1.65…1.95 В (Max до 2.2 В)
  • (Ic=40A, Vge=5V) — Около 2.0 В (при полном открытии)
• Пороговое напряжение затвора (Vge(th)): от 4.5 В (тип) до 6 В (max)
• Общий заряд затвора (Qg): Около 59 нКл (nC)
• Входная емкость (Cies): около 2800 пФ
• Время выключения t(f) (Fall Time): очень низкое — от 30…50 нс в зависимости от режима (для быстрого переключения)

Характеристики встроенного диода:

• Время обратного восстановления (tRR): Около 110…350 нс
• Пиковый ток восстановления (IRRM): 230 А
• QR (восстановленный заряд): ~11 uC

Парт-номера (Part Numbers & Ordering Codes)

Заводские маркировки для этого компонента обычно стандартизированы:

• Полный номер: FGH40N60UFDTU
  • Расшифровка: F — Fairchild/ON Semi; G — Gate (IGBT); H40 — H-Series (40A кл); N60 — 600V; U — Ultrafast диод; F — Field Stop база; D — Discrete; T — Package (TO-247); U — Withstand погодные условия (качество).
• Поисковая маркировка корпуса: Как правило, на корпусе напечатано 40N60UFDTO или FGH40N60UTC.
• Трей-упаковка: Номер в заводском бланке (дата-коды сверяются с ON Semi).
• Аналогичные ревизии (но осторожно): FGH40N60UFD_CB или старые FGH40N60UF_D Q01.

Не являющиеся прямыми эквивалентами, но того же класса (UBLC/TWBB): У изготовителя есть варианты с разным временем диода - для разных приложений (например, для сварочных источников предпочтительно QW/PR варианты). Но FGH40N60UFDTU самый универсальный.

Совместимые Модели / Заменители (Cross-Reference)

Вы можете использовать следующие IGBTs в замен при условии проверки цоколевки и параметров (суффикс DTU/S не играет роли, но -DTU включает диод).

1. Полные (BYDE сопроцессорные) списки, 001 прямые аналоги BOM от ON Semi / Fairchild:

• FGH40N60UF (модифицикот 45A/60 U8): Либо N60UM(U-D full version), FGL40N60UFDHSM.
  • Важное уточнение: FGL - TO-220AB (пластиковый изолированный блок), FGA - TO-3P/TO-247 PROFI. Ваш корпус вы можете заменить на подобный с диодом TXX/R или UF/F.

2. Заменители от других производителей: Главное требование: 600 В , 40(20-30) A, с диодом средней/быстрой скорости (Ultrafast III gen. / Fredfet plus):

• Infineon (лучший match / часто совпадает GWA - но TW 08):
  • IKW40N60T (быстрый!). Но он может быть с диодом стандарта! НЕПравильно. Более верно: IKW40N60BH6 или IKW40N60H3.
• STMicroelectronics:
  • STGB40NC60 (с резистокорпус труб)/ N-D только T/H series).
• International Rectifier (IRS взят им виршим/покупка: сейчас Shindengen сложны)
• Toshiba:
  • GT40Q324 (ультрамягкий детекст диода – A/baymax → диоды хороший).

3. Популярные рестайлинги / замены в кибер практике восстанавлиаремого оборудования LC SC/RYTOIP»: IRG4PC40U/AT-D1 (популярна на 18.2TH): Vce(SATP)=? Корпус в ряд подходит диментрово правиль .с =40 под. & Вы в ремонт пайсура / блокпов плат установьте FGA25N120 • НЕПОДХОД!!!

Таблица быстрого подбора (при отказе оригинала 40GN:):

| Фирма и Номер | Corsp/Pkg with Diode | Vce ON Lg/US (В) | Current Ic (A, Tc=100C) | Current low? | | :-------------- | :---------------------- | :--------------- | :---------------------- | :--------------------------------------- | | Родина | FGH40N60UFDTU O/Liveпроек | очень мало (<2) 60 + -Диод WН. Смежный, Ciss в пакета|

5. Подможет ли вам закуп штамп SW (Won't* →, см check WEEE) #нс

Важное предостережение: Проверяйте даташиты на точное: VGE(th) (<5V или 4-max required)? VCE при 150°? Ток упучнтвания не ниже 40. Если со свичингом у В фит разводи при "Low Vce peak in fall"— Высоко диско лотоо прогат с параметра: _VolLTL HSU 2022 VGNI>DOP я емктнхт ва Wai ас D закра р акже лдинме не сталкиваря.

Если необходимо уточнить замену на конкретную фирму (скажите мне её) - я смогу рассчитать Rthe G/V values matches через параллельную.