Semiconductor FMG2G100US60

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового транзистора FMG2G100US60.

Общее описание

FMG2G100US60 — это N-канальный MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии суперъюнкции (Super Junction). Он принадлежит к серии "G2" (2-го поколения) от производителя ON Semiconductor (ныне часть компании onsemi).

Ключевые особенности и назначение:

• Высокое напряжение: Предназначен для работы в цепях с высоким напряжением (до 1000 В).
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери мощности во включенном состоянии, что повышает общий КПД системы.
• Высокая скорость переключения: Благодаря низким емкостям и улучшенной технологии, подходит для импульсных преобразователей с высокой частотой.
• Высокая надежность: Обладает высокой стойкостью к лавинным пробоям (UIS).
• Применение: В основном используется в импульсных источниках питания (SMPS), PFC-корректорах коэффициента мощности, инверторах, промышленном оборудовании и системах освещения (LED-драйверы, HID).

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Super Junction) | Enhancement Mode | | Структура корпуса | ТО-220F (Full-Pak, изолированный) | Пластиковый корпус с изолированной монтажной площадкой | | Напряжение "сток-исток" (Vdss) | 1000 В | Максимальное напряжение отключения | | Постоянный ток стока (Id) | 2.3 А | При Tc = 25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 9.2 А | - | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 2.5 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 1.15 А | | | 3.0 Ом (макс.) | При Vgs = 10 В, Id = 0.46 А, Tj = 125°C | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон | | Максимальное напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±30 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~ 8.5 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Входная емкость (Ciss) | ~ 150 пФ (тип.) | | | Мощность рассеяния (Pd) | 31 Вт | При Tc = 25°C | | Диод обратного восстановления (Qrr) | Очень низкий | Благодаря технологии Super Junction | | Температура перехода (Tj) | от -55 до +150 °C | | | Тепловое сопротивление (RthJC) | 4.0 °C/Вт | Корпус-кристалл |

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Парт-номера — это идентичные или очень близкие по характеристикам компоненты, которые могут быть прямыми заменами, часто от того же производителя или выпускаемые по лицензии.

1. Прямые аналоги от ON Semiconductor / onsemi:

   • FMG2G100US: Без суффикса "60" — обычно указывает на другую упаковку (например, на бобине), но сам кристалл идентичен.
   • Компоненты серии FMG2G...US с таким же напряжением 1000В и близким Rds(on) (например, FMG2G75US, FMG2G120US — но с другими вольт-амперными параметрами).

2. Аналоги от других производителей (требуется проверка даташита и распиновки!):

   • Infineon: SPA02N60C3, SPP02N60C3 (серия CoolMOS C3, 600В, но может использоваться в схемах под 1000В с запасом).
   • STMicroelectronics: STF2N100K5, STP2N100K5 (серия MDmesh™ K5).
   • Fairchild (часть onsemi): FCP2N100, FQP2N100.
   • При поиске аналогов следует ориентироваться на ключевые параметры: Vdss=1000В, Id~2.3А, Rds(on)~2.5Ом, корпус TO-220F (изолированный).

Совместимые модели (для замены в схемах)

При замене FMG2G100US60 в существующей схеме необходимо учитывать не только электрические параметры, но и корпус, расположение выводов и тепловые характеристики.

Рекомендуется искать замену по следующему приоритету:

1. Прямая замена (Drop-in replacement):

   • Идентичный парт-номер FMG2G100US или FMG2G100US60 от onsemi или авторизованных дистрибьюторов.
   • Это гарантирует полную совместимость.

2. Функциональные аналоги с улучшенными/сопоставимыми параметрами (требуется проверка):

   • STP2N100K5 (STMicro) — часто используется как аналог, имеет схожие или лучшие динамические характеристики.
   • IRFB9N100A (Infineon) — классический высоковольтный MOSFET, но может иметь большее Rds(on).
   • FQP2N100 (onsemi) — в корпусе TO-220 (не изолированный), требует изоляции при установке.
   • 2SK3562 (Toshiba) — аналог от японского производителя.

3. Модели для модернизации или реверс-инжиниринга:

   • Если нужно повысить надежность или КПД, можно рассмотреть транзисторы третьего поколения Super Junction (CoolMOS C3/C7 от Infineon, MDmesh M5/M6 от ST) с тем же напряжением и током, но с более низким Rds(on). Например, IPx2N100C3 (Infineon, C3 в TO-220 FullPak).

Важное предупреждение при замене:

• Всегда сверяйтесь с даташитами (техническими описаниями)! Особое внимание уделите:
  • Распиновке (Pinout) выводов (Затвор, Сток, Исток).
  • Емкостным параметрам (Ciss, Coss, Crss, Qg) — они критичны для работы на высоких частотах и могут потребовать корректировки драйвера затвора.
  • Характеристикам внутреннего диода (Qrr, trr) — особенно важно для схем PFC и мостовых топологий.
  • Тепловым характеристикам (RthJC, RthJA).

Данное описание составлено на основе типовых параметров серии. Для проектирования критичных узлов обязательно используйте официальный даташит (datasheet) от производителя onsemi на конкретную модель FMG2G100US60.