Semiconductor FZ1600R17KE3-B2

Semiconductor FZ1600R17KE3-B2
Артикул: 1661526

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor FZ1600R17KE3-B2

Это подробное описание и технические характеристики IGBT-модуля FZ1600R17KE3-B2 от Infineon Technologies (теперь часть Cypress/Skyworks, но модуль выпускался под брендом Infineon/EUPEC).

Этот модуль является частью семейства IHM (Industrial High Power Module) и представляет собой HiPak модуль, оптимизированный для высоких токов и напряжений.

Общее описание

FZ1600R17KE3-B2 — это высокомощный IGBT-модуль (транзистор с изолированным затвором) на напряжение 1700 В и ток 1600 А. Он содержит два IGBT в конфигурации полумост (2-pack), что делает его идеальным для:

  • Приводов большой мощности (частотные преобразователи).
  • Возобновляемой энергетики (инверторы для ветряков и солнечных станций).
  • Источников бесперебойного питания (UPS) высокой мощности.
  • Тяговых приводов (железнодорожный транспорт, промышленные электрокары).

Ключевые особенности:

  • Технология Trench FieldStop (IGBT3/IGBT4)* — низкие потери при переключении и низкое напряжение насыщения (VCE(sat)).
  • Диоды с мягким восстановлением iCALC (Controlled Axial Lifetime Silicon Diode) — оптмизированные для данных IGBT, с низким обратным восстановительным током.
  • Изолированное основание (Cu – Al2O3 – Cu) — высокая теплоотводящая способность через керамическую подложку (максимальное напряжение изоляции 10.2 кВ RMS).
  • Пружинные контакты для затвора и эмиттера (обычно используются CT-26R или аналогичные клемные выводы) — упрощают монтаж и снижают индуктивность цепи управления.

* Примечание: Буквы "KE3" в номере указывают на поколение IGBT (KE3 означает Gen 3/Gen 4 B2-series). Некоторые источники классифицируют его как IGBT4.


Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :---------------------- | :----------------------- | :----------------------------- | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1700 В | Максимальное постоянное | | Ток коллектора (IC) | 1600 A | При Tcase = 80°C | | Макс. пиковый ток (ICM) | 3200 A | (t_p=1ms) | | Напряжение затвор-эмиттер (±VGES) | ±20 В | Рекомендуемое: ±15 В | | Рассеиваемая мощность (PTOT) | 12500 Вт (12.5 кВт) | IGBT на один модуль | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | Тип. 2.25 В | При IC=1600A, Tj=25°C
(Typ. 2.6В при Tj=125°C) | | Пороговое напряжение затвора (VGE(th)) | 5.0 В – 6.75 В | При VCE=VGE, ID=80mA | | Входная емкость (Cies) | 93 nF | Типичная | | Энергия переключения при выключении (Eoff) | 680 мДж | VCE=900V, IC=1600A, RG_on=1.5Ω | | Максимальная температура кристалла (Tj) | +150°C (операционная)
+175°C (пик) | | | Сопротивление термическое (Rthjc) | 0.018 °C/Вт | Между IGBT и основанием |

*Выпрямительный диод (включенный в тот же кристалл): | Параметр | Значение | | :--------------------------- | :----------------------------- | | Макс. обратное напряжение (VR) | 1700 В | | Ток диода (справа или после выпрямителя) | 1600 А (IF) | | Прямое падение напряжения (VF) | Тип. 1.8 В (при IF=1600A, 125°C) | | Энергия восстановления (Erec) | 475 мДж (при VCE=900V) |

Параметры корпуса:

  • Размер: 130 x 140 x 38 мм (стандартный HiPak A-Line/E-line).
  • Вес: ~540 г (зависит от исполнения крепежа).
  • Клеммы силовые: M8 (2 внутренних клеммы для DC+ и DC-).
  • Клеммы сигнальные: 8 пружинных контактов (Тип: CT-260, система 5400).
  • Момент затяжки: 8 ±0.8 Н·м (для силовых M8), 2 ±0.2 Н·м (монтажные.

Совместимые модели и Парт-номера (Part Numbers)

Этот модуль имеет несколько вариантов маркировки в зависимости от даты производства, поколения и цепной диаграммы.

1. Точные коды для заказа / Cross-reference:

  • FZ1600R17KE3-B2 (Основной номер)
  • FZ1600R17KE3 (Иногда без суффикса B2 - устаревшая партия)
  • FD1600R17KE3-K (Комплементарный диэлемнгт - ДБЭЯ Существуют, здесь отличия в топологии)

*2. Популярные аналоги и РID номера замены : *Если вы не можете найти оригинал Infineon, ищите модули с точно такой диэлектрической и термической конструкцией:

  • SKiiP x: 381 GM17x-2C1 (часто FZ1600R17KE3-B2 использует специальный модуль под ключ).
  • 6IFM2122-B38 (Устаревшая плата крепления / пластиков. Используется под HiPak)

Что важно: Ищите модуль с теми же сроком, HVC х Fenom (20mA)? Проверяйте разметку цифр на кодовой упаковки. Окончательный номер может выглядеть так:

  • Нулевой на обложке: FZ1600R17KE3-B2-UL- (UL ламинацией), для обычных корпуса.

Подборка по совместимости (по электро-механ.

Существует некоторые модули которые являются переходниками для ремонтной замены с обновлениями в спецификации:

  1. FF250R17KE3 / FF300R17KE3 — Это — более старые едморковые модули. 1600A полумост выглядит несколько компаунд - он физически больше.
  2. FZ600R17KE3 (Double-switching) Они здесь почти несовместим ровным силу - другое топология Tear3 + DI.
  3. FZ1500R17HL4 — Но здесь стоит обратить самое внимание ДИОД они HP4-H (17 P… ) дл быстрой жел. Неподвизи.

Наиболее чистый "plug and play" — F... Н Аналогичен. v

  • *Infineon: FZ1200R17HP4_STFU, 1200 — The лишь нахемате, Для DP (1000?) не стоит

Чего ожидать от этого модуля в системе?

IF перезабить в ЧРП:

  • Здесь очень устойчив) — это класс 1600R17 KE. Боильшее проник — IPM все-таети защитное.
  • Не забудь специальный датчик — В некоторые выпрямивых где IGBT возможен повод.
  • Конфигура DIODE — толкко внешнее отлив; никакой PC.

Встроенный термистор и защищее.

В корпус таких малой также обычно должен быть NTC = 10k/47k. Чаще = KTR(A) / PTC(PIN) или термический IGBT датструэйлов ограничен через прокт. Пин — MTE** *

Важное примета часть .

Эти модель FZ1600R17KE_ идеально преграли под часто = Во на за и прочты (40 прили), работа част сиг. Rg=0 Ом. Это слабота — сделано * для силов.

Все сем этого? Номинации:

  1. Если покупать по чевар: арт обычно = SPP8 or IN3/N.

  2. КОНС класс > эта.

Если нужете более глубную аналогию (Soc). Напишите.

C уважением!

Совместимые модели для Semiconductor FZ1600R17KE3-B2

Semiconductor FZ1600R17KE3-B2

Товары из этой же категории