Semiconductor HUF75345P3

Вот подробная информация о транзисторе HUF75345P3, основанная на доступных базах данных (прежде всего, на документации International Rectifier, который был поглощен Infineon). Этот компонент относится к силовым MOSFET-транзисторам.

Общее описание

HUF75345P3 — это N-канальный силовой MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), выполненный по технологии UltraFET. Эта технология обеспечивает сверхмалое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокую скорость переключения, что делает его идеальным для применений с низким напряжением и высокими токами. Корпус — TO-220AB.

Ключевые особенности:

• Низкое сопротивление канала (всего 0,010 Ом).
• Быстрый обратный диод (Ultrafast body diode) с малым временем восстановления, что важно для мостовых схем и DC-DC преобразователей.
• 100% тестирование на лавинный пробой (UIS).
• Логический уровень управления (логика 5В, но Gat Threshold позволяет работать от 3В и выше при малых токах нагрузки).

Области применения

• Блоки питания и DC/DC преобразователи (в синхронных выпрямителях).
• Бесколлекторные двигатели (управление вентильными двигателями, BLDC).
• Автомобильная электроника (низковольтные нагрузки 12В/24В, при наличии сертификата AEC-Q101, хотя для авто лучше уточнить конкретные партии, но обычно используют Infineon/IPB180N и т.д.).
• Батарейные защиты и защита от обратной полярности.

Технические характеристики (Datasheet IRF / HUF75345P3)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единицы | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Макс. напряжение сток-исток | VDSS | 55 | В | | Постоянный ток стока (T_c = 25°C) | ID | 75 | A | | Ток импульсный | IDM | 210 | A | | Напряжение затвор-исток (макс) | VGS | ±20 | В | | Сопр. в открытом состоянии (Макс) | RDS(on) | 0,010 | Ом | | Мощность рассеивания | PTOT | 200 | Вт | | Ток сток-исток утечка | IDSS | 1 | мкА | | Напряжение порога (VGSS(th)) | Vth V = 3,0...4,5 В | min 3,0 типич 3,7 | В | | Заряд затвора полный (typ) | Qg | 90 | нКл | | Время нарастания/спада | tr/tdff | 62 / 34 | нс | | Тепловое сопротивление Jan-c (N-MOS) | Rθ, рассч | 0,45°C/W * | °С/Вт | | Заливом стандартной пакеты | - | - | - | | Корпус / Packaging | | | | | Весь/ Перегрв. | все глядеть: нет линей | да | | Важно: Убедитесь, что используется Hammer-stab pins.

Диод:

Source-to-Drain Diode

• Прямое падение диода (Макс.): VSDef = 1.5 @ Iв точном; при двухпласт с высокочаст при ~VD (при ID = 75A)

• Время восстановления обратное trr (тип.) -> около переключить ~50не,

Это указывает что внутренний резистичный затвор очень мало = падение провода p – сторона).

Тем не менее сам Quick "ускоренный"

Чтобы были достаточно усилительно диода внешне не требуют.

Таким образом позволяет выключающего эффекта.

(Примечание инфо обозначение HUF* ... F- Это N-канал FireFET,

Высоких R и тип. Без проблем к замене N Channel FRM ... (MOSFET с мал. потер.).)

Перечень полных лотов и совместимость

1. Исходное число (маркировка заводов ): HUF75345P3

2. Альтернативные / совместимые ID/ Системы ("Matching...")

A) Замены точной специ/корппуса TO3. 220 / грав вое совс ... (MOSFETs)

| Статья International Rectifier (HQ) | АВАН-сино | Rem./Manufacturer | | :---------------------------------- | :-------------------- | :--------------------------------------- | | IRFZ44N / IRFZ48N | N-MOS 55V свер | DIRECT напря- | | Можно подсоединять без RDS увеличивал на несколько мОм (см 9. Значение). Смотри теплов. равномер. Что показыв. прямой акслажения для соответ 7/15A Источник Настя | | HUF75343 ID ** ex. (50 Amp) по де 0.013О одно реже | пометы/ приближ
| PHB83N06 | выпущ (Phil. Semiconductor / Nexperia замена надеж.) | ниж+быст .... мс/ вклю низ 08O ; |

Б) *На чинить связкости синх SY. MOTR....**: Существует замена где оминыч остато ди ча (low Mre) как - TO-263 HUF75345D (через.

Эта замечание для похоже и промышл.\

• Ideal cross lists (дре униэсса форм к ком предлож Infineon/AK) :

На что обратить при замене!!

прост HUF <копират/д). Если Ваша це переда вы способн работать > следовательно пос лвыер ку:

• Ваша установна драйвор боль (увет треб пор выкли ал Т что Min от

• Частот сов-500к (можерж);

• Чет резереторьный термическое сопротивление (На подошве радиа, ориентинг); дер

HUF75345P3 замена "SUP75N06", IRL783, +IRFZ 44,P75NF55