Semiconductor HUF75545P3

Отличный выбор! HUF75545P3 — это очень популярный и надежный силовой MOSFET-транзистор, широко использовавшийся в силовых цепях материнских плат, видеокарт и другого компьютерного оборудования в 2000-х и начале 2010-х годов.

Вот подробное описание, технические характеристики и совместимая информация.

Описание

HUF75545P3 — это N-канальный MOSFET с логическим уровнем затвора, выполненный в корпусе TO-220. Это означает:

• N-канальный: Транзистор открывается при подаче положительного напряжения на затвор относительно истока.
• Логический уровень (Logic Level): Для полного открытия (насыщения) ему требуется относительно низкое напряжение на затворе (Vgs), обычно 4.5-5В. Это позволяет управлять им напрямую от микроконтроллеров, ШИМ-контроллеров материнских плат (например, от HIP6301, ISL6566 и др.) без использования драйверов.
• TO-220: Классический мощный корпус с металлической площадкой для крепления на радиатор.

Основное применение: Стабилизаторы напряжения (VRM) процессора, оперативной памяти и чипсета на материнских платах, DC-DC преобразователи на видеокартах. Часто используется в нижнем плече (Low-Side) многфазных преобразователей, но может работать и в верхнем (High-Side) при наличии соответствующего драйвера.

Ключевые технические характеристики (ТХ)

Приведены типовые/максимальные значения при T=25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | - | N-Channel Logic Level MOSFET | - | | Корпус | - | TO-220 (TO-220AB) | Пластиковый, с отверстием для крепления | | Сток-Исток напряжение | Vdss | 55 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Непрерывный ток стока | Id @ 25°C | 80 А | При идеальных условиях охлаждения | | Импульсный ток стока | Idm | 320 А | - | | Сопротивление открытого канала | Rds(on) | 6.5 мОм (макс.) | Ключевой параметр! При Vgs = 10 В | | | | 9.0 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В (логический уровень) | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 1.0 - 2.0 В | Минимальное напряжение для начала открытия | | Максимальное напряжение затвор-исток | Vgs | ±20 В | Превышение ведет к пробою | | Общая рассеиваемая мощность | Pd | 125 Вт | При температуре корпуса 25°C | | Температура перехода | Tj | -55 ... +175 °C | - | | Заряд затвора | Qg (тип.) | 65 нКл | Важно для расчета драйвера |

Особенности:

• Высокая токовая способность и очень низкое Rds(on) для своего времени, что обеспечивало высокий КПД стабилизаторов.
• Быстрое переключение (низкие заряды Qg, Qgd).
• Встроенный обратный диод между стоком и истоком (Body Diode).

Парт-номера и прямые аналоги (Direct Replacements)

Производитель — компания Fairchild Semiconductor (позже приобретена ON Semiconductor). У этого транзистора есть несколько вариантов обозначений и прямых аналогов от других производителей.

Основные парт-номера (одно и то же устройство):

• HUF75545P3 (полное обозначение)
• FDP75545 (аналогичный MOSFET от Fairchild, возможно, в другом корпусе)
• HUF75545P3T (возможно, обозначение для поставки в катушке/ленте)

Прямые аналоги от других производителей (с очень близкими или лучшими ТХ):

• IRF (International Rectifier, ныне Infineon):
  • IRF3205 — классический аналог, но с более высоким Rds(on) (~8 мОм) и НЕ логического уровня (требует Vgs ~10В). Внимание! Не всегда является прямой заменой в схемах, рассчитанных на 4.5В управление!
  • IRF3710 (40В, 5.6 мОм) — логический уровень, хорошая замена по току и сопротивлению.
  • IRF3808 (75В, 7.7 мОм) — логический уровень.
• STMicroelectronics:
  • STP80NF55-06 (55В, 6.0 мОм) — практически полный аналог с чуть лучшими параметрами.
  • STP75NF75 (75В, 9.0 мОм).
• Vishay / Siliconix:
  • SUP75N06-09 (60В, 9.0 мОм) — логический уровень.
• ON Semiconductor:
  • NTMFS75N06 (60В, 6.5 мОм) — современный аналог в корпусе D2PAK, с лучшими характеристиками.

Совместимые модели и рекомендации по замене

При ремонте материнских плат и видеокарт HUF75545P3 часто можно встретить в паре или группе с другими MOSFET. Замена должна производиться на аналогичные по характеристикам компоненты, желательно в одной фазе.

Частые "соседи" в схемах (используются вместе):

• Верхнее плечо (High-Side): Могут использоваться P-канальные или, чаще, такие же N-канальные, но в связке с драйвером. Например, HUF75329P3, HUF75344P3, FDD7030L (P-Channel) или другие N-канальные логические MOSFET.
• Драйверы ШИМ: HIP6301, HIP6302, ISL6566, ISL6312, ADP3180, RT8800 и многие другие.

Важные правила замены:

1. Напряжение (Vdss): У замены должно быть не менее 55В. Лучше равное или выше (60В, 75В).
2. Ток (Id): Не менее 80А. Современные аналоги часто имеют больший ток.
3. Сопротивление (Rds(on)): Критический параметр. Должно быть сопоставимо или ниже, особенно при Vgs=4.5В. Если у аналога Rds(on) значительно выше, он будет сильнее греться.
4. Логический уровень: Обязательно проверьте, что аналог является Logic Level (Low Vgs(th)). Если поставить обычный (как IRF3205) в схему, рассчитанную на 4.5В, он не откроется полностью и сгорит.
5. Заряд затвора (Qg): Желательно сопоставимое значение. Слишком высокий заряд может перегрузить ШИМ-контроллер.
6. Корпус и цоколевка: TO-220 стандартен. Убедитесь, что расположение выводов (G-D-S) совпадает.

Рекомендуемые современные аналоги для замены (часто даже лучше):

• STP80NF55-06 (STMicroelectronics)
• IRF3710 (Infineon) — проверенный временем вариант.
• NTMFS75N06 (ON Semi) — в корпусе D2PAK, требует адаптации при монтаже.
• IPP075N06N (Infineon) — очень мощный и современный.

Вывод: HUF75545P3 — это легендарный, качественный MOSFET, отлично зарекомендовавший себя в технике своего поколения. При ремонте его можно успешно заменять на современные аналоги с равными или улучшенными параметрами, соблюдая правила, указанные выше.