Semiconductor MTP5P25

Отличный запрос. MTP5P25 — это популярный силовой P-канальный MOSFET, широко используемый в схемах управления питанием, DC-DC преобразователях, нагрузочных переключателях и инверторах.

Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Описание и применение

MTP5P25 — это P-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии TrenchFET от производителя Motorola (позже ON Semiconductor, а сейчас часть onsemi). Ключевые особенности, сделавшие его популярным:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Позволяет минимизировать потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Быстрое переключение: Благодаря технологии TrenchFET, что важно для импульсных схем.
• Высокая стойкость к лавинному пробою: Указана в datasheet, что повышает надежность в индуктивных нагрузках.
• Логический уровень управления: Полностью открывается при напряжении затвор-исток (VGS) около -10В, но имеет достаточно низкое пороговое напряжение, чтобы частично управляться и от -5В, что удобно для интерфейса с микроконтроллерами.

Типичные применения:

• Коммутация питания (Load Switch) в материнских платах, ноутбуках, бытовой электронике.
• DC-DC преобразователи (особенно в high-side ключе).
• Управление двигателями, соленоидами.
• Инверторы (например, для автоэлектроники).

Основные технические характеристики (ТХ)

Характеристики приведены для корпуса TO-220AB (самая распространенная версия).

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель | Motorola / ON Semiconductor / onsemi | | | Тип транзистора | P-канальный MOSFET (TrenchFET) | | | Корпус | TO-220AB | Также бывает в TO-252 (DPAK) и других. | | Структура | Single | | | Макс. напряжение "сток-исток" (VDSS) | -25 В | Минус указывает на P-канал. | | Макс. непрерывный ток стока (ID) | -5.4 А | При Tc=25°C. | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.085 Ом | Максимальное, при VGS = -10 В, ID = -3.4 А. | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | от -1.0 до -2.0 В | Тип. -1.5 В (при ID = -250 мкА). | | Макс. напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±20 В | | | Общий заряд затвора (Qg) | ~10 нКл | Типовое, влияет на скорость переключения. | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 40 Вт | При Tc=25°C (с радиатором). | | Диод обратного восстановления (Body Diode) | Есть | Параметры: IS = -5.4 A, VSD ~ -1.2 В. | | Стойкость к лавинному пробою (EAS) | 110 мДж | Указана в даташите. |

Важное примечание: Все значения, связанные с полярностью (ток, напряжение) для P-канальных транзисторов указываются отрицательными, так как ток течет от истока к стоку. В схемах исток обычно подключен к плюсу питания.

Парт-номера (Part Numbers) и корпуса

Одна и та же микросхема поставляется в разных корпусах, что отражается в суффиксе парт-номера:

• MTP5P25E – Базовое обозначение. Часто подразумевает TO-220AB.
• MTP5P25EL – Версия в корпусе TO-220AB (стандартный TO-220 с выводами).
• MTP5P25VL – Версия в корпусе TO-252 (DPAK) (поверхностный монтаж, 3 вывода).
• MTP5P25V – Альтернативное обозначение для TO-252.

При заказе всегда нужно уточнять корпус.

Совместимые модели и аналоги (Прямые и функциональные замены)

Аналоги можно искать по ключевым параметрам: P-Channel, VDSS = -20В...-30В, ID = -5А...-7А, Low RDS(on), TO-220/DPAK.

Прямые аналоги (с максимально близкими характеристиками):

• IRF9Z24 / IRF9Z24N (International Rectifier / Infineon): -20В, -6.5А, RDS(on) ~0.1 Ом. Очень популярная и часто взаимозаменяемая модель.
• IRF4905 (International Rectifier / Infineon): -55В, -7.4А, RDS(on) ~0.02 Ом. Внимание! Имеет более высокое напряжение, что обычно допускает замену, но может быть дороже.
• FQP7P06 (Fairchild / onsemi): -60В, -7А, RDS(on) ~0.15 Ом. Более высоковольтный, подходит для замены.
• STP7P25 (STMicroelectronics): -25В, -7.5А, RDS(on) ~0.09 Ом. Почти полный аналог.
• RFP5P05 (Fairchild): -50В, -5А. Старый, но совместимый аналог.

Функциональные аналоги (могут потребовать проверки по схеме):

• AOD412 (Alpha & Omega Semiconductor): -30В, -11А, RDS(on) ~0.03 Ом (в корпусе TO-220). Более современный и мощный.
• SI2307ADS (Vishay): -20В, -2.8А (SOT-23). Только для маломощных применений и в другом корпусе.
• P-Channel MOSFETы от Nexperia, Toshiba, Diodes Inc. с похожими параметрами.

Важные рекомендации по замене:

1. Всегда сверяйтесь с даташитом (datasheet)! Особенно обращайте внимание на:
   • Распиновку (Pinout) корпуса (G-D-S). У большинства TO-220 она стандартная (слева-направо: G-D-S), но бывают исключения.
   • Пороговое напряжение (VGS(th)) и заряд затвора (Qg), если схема управления затвором слаботочная.
   • Характеристики встроенного диода, если он используется в схеме.
2. MTP5P25 — устаревшая, но проверенная модель. При разработке новых устройств лучше выбирать более современные аналоги с меньшим RDS(on) и зарядом затвора.

Надеюсь, это описание будет полезным