Semiconductor P75N02LDG

Semiconductor P75N02LDG
Артикул: 1659834

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor P75N02LDG

Отличный выбор! P75N02LDG — это популярный и надежный N-канальный MOSFET, широко используемый в силовой электронике. Вот подробное описание и все необходимые данные.

P75N02LDG: Краткое описание

P75N02LDG — это N-канальный MOSFET в корпусе TO-220, предназначенный для коммутации высоких токов при низком напряжении. Его ключевые преимущества — очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) и высокая эффективность, что минимизирует потери мощности и нагрев.

Основные области применения:

  • Системы управления электродвигателями (например, в электроинструментах, кулерах, автомобильных системах).
  • Импульсные источники питания (DC-DC преобразователи, низковольтные силовые каскады).
  • Схемы управления нагрузкой (ключи, H-мосты).
  • Усилители класса D (автомобильные аудиосистемы).

Технические характеристики (основные)

  • Тип транзистора: N-Channel MOSFET (обогащения)
  • Корпус: TO-220 (с возможностью крепления на радиатор)
  • Полярность: N-канальный
  • Напряжение "Сток-Исток" (Vds): 75 В — определяет максимальное напряжение между стоком и истоком.
  • Ток стока (Id):
    • Непрерывный (при Tc=25°C): 80 А — очень высокий показатель для TO-220.
    • Импульсный (pulsed): 320 А
  • Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 4.5 мОм (миллиОм!) максимум при Vgs=10 В. Это ключевая характеристика, обеспечивающая низкие потери.
    • При Vgs=4.5 В: 6.5 мОм (макс.)
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 2.0 - 4.0 В (тип. 3.0 В)
  • Максимальное напряжение "Затвор-Исток" (Vgs): ±20 В
  • Общая рассеиваемая мощность (Pd): 136 Вт (при условии монтажа на идеальный радиатор, Tc=25°C)
  • Заряд затвора (Qg): ~ 60 нКл (типовое) — важный параметр для расчета драйвера затвора.
  • Время включения/выключения (tr/tf): Быстрое переключение (десятки наносекунд).

Важное примечание: Работа на максимальных токах возможна только при обеспечении эффективного отвода тепла (радиатор) и правильного управления затвором.


Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги)

Здесь важно разделить на прямые аналоги (полные замены) и совместимые по распиновке и характеристикам модели.

1. Прямые аналоги / Полные замены (от того же производителя или с идентичными параметрами):

  • STP75N02L (от STMicroelectronics) — наиболее известный и часто используемый прямой аналог. Характеристики практически идентичны.
  • P75N02L (вариант без суффикса "DG", обычно тот же кристалл, может отличаться упаковкой/маркировкой).
  • 75N02L — распространенное сокращенное обозначение на схемах и в заказах.

2. Совместимые модели (с близкими или лучшими параметрами, в корпусе TO-220):

Эти модели можно использовать в большинстве схем как замену, но всегда рекомендуется проверять ключевые параметры (Rds(on) при вашем Vgs, Qg, емкости) под конкретную задачу.

  • IRF3205 (International Rectifier/Infineon):
    • Vds = 55 В, Id = 110 А, Rds(on) = 8.0 мОм.
    • Более высокий ток, но чуть большее сопротивление и меньшее напряжение. Очень популярная и доступная модель.
  • IRF1405:
    • Vds = 55 В, Id = 169 А, Rds(on) = 5.3 мОм.
    • Еще более высокий ток.
  • IRFZ44N:
    • Vds = 55 В, Id = 49 А, Rds(on) = 22 мОм.
    • Более слабый по всем параметрам, но очень дешевый и распространенный. Подходит для замены в менее требовательных схемах.
  • FDP047N10 (Fairchild/ON Semi):
    • Vds = 100 В, Id = 47 А, Rds(on) = 4.7 мОм.
    • Выше напряжение, но меньше ток.
  • AUIRF1324S-7P (Infineon) / STL220N4F7 (STMicroelectronics):
    • Более современные MOSFETы в корпусе TO-220 с улучшенными характеристиками (меньше Rds(on), лучше динамика).

Рекомендации по замене

  1. Проверьте напряжение (Vds): У заменяемой модели оно должно быть не ниже, чем в исходной схеме.
  2. Сравните Rds(on): Желательно, чтобы у аналога оно было сопоставимым или меньше при том же напряжении на затворе (Vgs), которое использует ваша схема (часто 5В, 10В или 12В).
  3. Обратите внимание на заряд затвора (Qg): Если схема работает на высоких частотах, большой заряд затвора может перегрузить драйвер.
  4. Распиновка (pinout): У всех перечисленных аналогов в корпусе TO-220 стандартная распиновка: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток (вид со стороны ножек, держа корпус пластмассой к себе, металлической площадкой вниз).

Вывод: P75N02LDG — это мощный, проверенный временем MOSFET для низковольтных применений. Его лучшим и самым распространенным прямым аналогом является STP75N02L. Для большинства ремонтов или новых проектов можно смело использовать один из перечисленных совместимых аналогов, предварительно убедившись в соответствии ключевых параметров.

Совместимые модели для Semiconductor P75N02LDG

Semiconductor P75N02LDG

Товары из этой же категории