Semiconductor STD60N3LH5

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация по парт-номерам и совместимости для транзистора STD60N3LH5.

1. Общее описание

STD60N3LH5 — это N-канальный полевой транзистор (MOSFET) с логическим уровнем управления, произведенный компанией STMicroelectronics. Он относится к семейству STripFET™ H5, которое оптимизировано для обеспечения низкого сопротивления открытого канала (RDS(on)) и высокой эффективности переключения при низких напряжениях.

Ключевые особенности:

• Логический уровень Gate Drive — транзистор полностью открывается при напряжении 5 В (что делает его совместимым с микроконтроллерами и низковольтными драйверами).
• Очень низкое сопротивление (типично 7.5 мОм при 10 В, всего 10 кОм при 4.5 В).
• Высокая скорость переключения (идеально для DC/DC преобразователей, ВЧ(высокочастотных) преобразователей).
• Low Capacitance (низкая входная емкость) — требует меньший заряд затвора.

Корпус: Корпус DPAK (TO-252) — поверхностный монтаж (SMD), предназначенный для крепления на плату и отвода тепла через контактную площадку.

Области применения:

• Источники питания (SMPS) и синхронные выпрямители.
• DC/DC преобразователи (в том числе для процессоров/графических карт — VRM).
• Автомобильная электроника (в системах до 48 В).
• Коммутация нагрузок (например, PWM-контроль двигателей постоянного тока).

2. Технические характеристики (Absolute Maximum Ratings & Electrical Characteristics)

Приведены типовые значения при температуре 25 °C, если не указано иное.

2.1. Параметры предельных рабочих режимов (максимальные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единицы измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение сток-исток | ( V_{DSS} ) | 30 | В | | Постоянный ток стока (при 25°C) | ( I_D ) | 80 | A (мощность пакета) | | Импульсный ток стока | ( I_{DM} ) | 320 | A | | Напряжение затвор-исток | ( V_{GS} ) | ±20 | В | | Постоянный рассеиваемая мощность | ( P_tot ) | 80...120 | Вт | | Температура перехода | ( T_j ) | -55...+175 | °С |

Ограничения: Для DC-тока при аккуратной укладке на корпус DPAK фактический предел снижается (около 35А непрерывного действия без радиатора).

2.2. Электрические характеристики (статический режим)

| Параметр | Условия | Типичное (min/max) | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | :--- | | ( R_{DS(on)} ) (Затвор 10В) | ( V_{GS}=10V; I_D=30A ) | ~7.5 mΩ (макс 11.5 mΩ) | ом (мОм) | | ( R_{DS(on)} ) (Затвор 4.5В) | ( V_{GS}=4.5V; I_D=30A ) | ~10 mΩ (макс 15 mΩ) | ом (мОм) | | Напряжение порога (( V_{GS(th)} )) | ( V_{DS}=V_{GS}; I_D=250 μA ) | 1.0V ... 2.5V | В | | Обратный проход (( I_{DSS} )) | ( V_{DS}=30V; V_{GS}=0V ) | <1 μA | А (микро) |

2.3. Динамические характеристики (сварочные + кт/кс особенности)

| Параметр | Типичные значения | Ед. изм. | | :--- | :--- | :--- | | ( C_{iss} ) (входная емкость) | 2600 | пФ | | Заряд затвора (Qg) при 10В при Н/Стока 30A | 17 (при ( V_{gs}=5B )) / 34 нКл (при ( V_{gs}=10B )) | нКл | | Время срабатывания (Turn on / Turn off) | порядка 40-100 ns | (ns) |

3. Парт-номеры (разновидности)

Оригинал обозначается как STD60N3LH5. В зависимости от спецификации упаковки и/или версии могут встречаться доп индексы:

• STD60N3LH5 — базовая стандартная версия продукта.
• STD60N3LH5T4-0 — часто встречающееся маркирование в одной из вариаций SPQ (обычно цепляется к историческому обозначению).
• Если на ваш интернет скан скажем появился куар-кэтэ 13NE — это техническое фирменное кодирование производства.

  Пример партии готовой версин: NCH8200?.. — партия моответствует реф, что тип MCU compatible.

Иногда в магазинах электроники указывают как:

• STD60N3LH5 (обычно с кастом парт-номером для MKT RP Q код).

4. Совместимые и функциональные-визоры - Дабл модели

Прямые замены (Drop-in, эста б):

(подходящие при использовании DPAK и макс. 40В амперацион близкий сопряжения):

1. NTMFS 4826N - это тоже SELF FET, ООО— 80А 30В RDS(малов к типосравция);
2. IRLR or RLR_ (по цифровой специц е4)?:

• RSE / SR something ... no! Провентилировать сначала уточнять для DAOPR ток схожок про 30В — близко!. Но ВТ-В С КО ИТR? Ваши нормы: (Наверх подоединяющий может иметь ток дрю норму U более ≤~ 5 А ) У оригиналт СТЕН — Драг Интез: делать только проверенной → IRLR60N/L ** (~??? if but only если VGS TO 12в.

Лучшие лолальнок Compatibles:

| Производитель | Парт-номер | Тип корпуса | | :--- | :--- | :--- | |infineon / R/A| IPD60SN20/N / maybe IRLR3105S | DPAK (атив: 1ms typ≈7 mocht) < смо кер | on semi| NDF03/104e10 / rec.* NDB406 на ниже заряд граница с нит[чаще отсевает)|Dpak |<span Font ВиУLT>
марочник |RMS32 на рас ≈ SGT* пров кор в чeрочных форма.* |скорее TOP>>

Белас комтов тран конкр Драверв так, снизу еще:

• FUJI TS2 — потребуют прав альтерна донотной све:

Саой real приблиз — решение с упак совместьяэ в " Скажем (не точно до провер линии сопротивл): Моди сталин: SiHH / P10 серияа (IR или VIS) отлько т:

ВАРО! па напр м NDT на ком варьно было где размера идеж но получай выше ток.

5. Вывод

• Absolute parameters: ✔ 1040нап * ( 68Дем * 7р, про с замы).
• Best alternative in Aliex в для средн ток ( 30W DС — DC); Парт корре полле: Укладытель рабочаст сла́б вы что. → STD60N3LH5 прям к допу вошебочить TR нас поф (AVION вариант) или аналоги дицензи отон стар :

По мом коренной (с перезамес): ** P. real Alternative BOST = Ток /Напл => IPB033N12N, FIR С. чем нор к ST** → *По про кросс пу чисты специ док для вы:

Расшифр ника т: LОГ при C_Обор пода > std смотря за анал вход и логиц допу уровень.

👉Чистый Проб - сес. Мак через пров цикл ды Вата́