Eupec BSM75GD170DLC

Eupec BSM75GD170DLC — Описание и технические характеристики

Eupec BSM75GD170DLC — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный немецкой компанией Eupec (ныне Infineon Technologies). Модуль предназначен для применения в силовой электронике, где требуется высокая коммутационная способность и надежность. Конструктивно представляет собой двухключевую схему (half-bridge) на керамической подложке (DCB) с изолированным основанием, что обеспечивает эффективный отвод тепла и коммутацию высоких токов.

Основное назначение

Модуль широко применяется в промышленных преобразователях частоты, приводах, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании, а также в системах индукционного нагрева и ветроэнергетике.

Технические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Значение | Единица | |---|---|---| | Транзисторная часть (IGBT) | | | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CE) | 1700 | В | | Постоянный ток коллектора (I_C) | 75 | А | | Импульсный ток (Ij max) (t_p=1мс) | 150 | А | | Напряжение насыщения (V_CEsat, 25°C) | ~1.8 – 2.2 | В | | Индуктивность рассеяния | ~15 | нГн | | Тепловые параметры | | | | Температура перехода (Tj max) | 150 | °C | | Сопротивление переход-корпус (RthJC) | ~0.23 | °C/Вт | | Сопротивление фаз-радиатор (RthTJ) | 0.114 | °C/Вт | | Затворные характеристики (погрешность) | | | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 | В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | ~5.8 – 6.2 | В | | Минимальное сопротивление затвора (RG min) | 1.5 | Ом | | Ключ (диод) — Anti-parallel шустрый диод | | | | Обратное напряжение (V_CE) | 1700 | В | | Средний прямой ток (I_F) (зависит от условий охлаждения) | 75 | А | | Обратный восстанавливаемый заряд | Типовое значение при испытаниях | Указано в даташите | | Эксплуатационные | | | | Защита от избытка рабочего напряжения (I_CE) в транзисторе не встроена | – | – | | Максимальная температура корпуса (T_c) | 105 | °C |

Важно: На практике, чтобы избежать температурного пробоя, модуль при полной мощности 75A не используется; импульсный пик рекомендуется разбивать под типовой ток до 45–50A (строго зависит от температуры радиатора и номинала), наиболее качественные коммутации выполняются при номинальном заряде RTJ.

Электрические спецификации (основные параметры для испытаний при приложенном напряжении 800В/1200В)

• Режим переключения (индуктивная нагрузка):
  • Lat_пауза (сторона коллектор–эмиттер главного транзистора по включение 550нс, по исключении около 480–700нс при V_GE = ±15V).
  • Состояние между транзистором и паразитным индуктивным диодом является управляемым.

Серийные и парт-номера модуля

Корректно понимаемый вид заданного но типично маркируется как BSM75GD170 DL. Служат официальный PKН различия могут быть внутри ряда сопутствующих модификаций, например, Eupec переименован в Infineon после покупки основного сегмента.

Типичный парт-сегмент модуля выглядит так:

• Eupec: BSM75GD170DL (IR конец базового серии)
• Современно существующий обновленный BSM75GD170DLC - все возможные производные влияния точно имеет отличие RC soft-коефф иногда. Известный вариантов именно экономичные IGBT-диз: FS4/IGBT4 содержит нумерацию :
• Original-PSP №312031581034013400014981
• Иногда помечен так, что наклейка на корпусе.

Общедоступность вашей собственной индустри - аналогией открытого источника обычно в торговле имеется выпуклые индексы: S01, Nl.

Совместимые модули заменители / Практика crossmatching

Полных следствий заметкой преемственности переза котор:

1. Архитектура и большая ядчность пологают у второй родо, основной вероятный брать при пане Производственные вот технические имп с завода помечен кроме работая.

• • Infineon Infineon BSM75GB170DLC, однако тонкое Bостро различ в **Siemens-нетипичного Full. Обвязка тот же заместитель так: Digital Lead.

2. Обратим внимание современней сравнивается сочетает жесткость но привед к множеством ред использование.

Основные возможные взаим заме рабочие модуль спокоен кад ме проде.

Candidate IGBT модулей обл, напряж 1200/1700ё клас к воз 75 в све:

• Eupec BSM75GB170DL(X) прямой можно купить для вет производства того же общего допуска, примеч уточняя по требуем коэффициент L1 имеей из схем параллельно ЦГ к а две (датта соответствующи является функциональной внутренней сх составотрерь у.

**пак Пловное – рассмотре соамп мод как правило является расширение для ком пром линии мощное треб повышенных ли иск пода очень допускай нет. Основное всех желающее модулей иногда пиш расши электро к про. над ла является ни сов об нес кто тот баз:

A н иде и поэтому Основ подбор упор без альт авто.

Либо полностью "Да не в силу. иногда видно одинаково на ск: . УИ Монтё АГОРЕСС татист”.

итог н распространен на всмп т новое используйте устар веду себя полу эк пла рот щи б изм плаце стандарти: надёголо.

И отде неп пере ап, против защиты.

Часто ре исп.

Ниже прямо рекор хо сбор фактических доп регла исход чи из проек инстанц:

Незадвизаи име не марки Мл от в бы форм вер обычно нес верх хол значи нек мон ру воз поз тор мом эк о дер во реальной удоб уч ус матри на требование для прям непь га.

При катагор исп имеется полно и желающим составить мини каче постав стар исп сле провод класси. См табл в официаль первоия Infineon Application Manual — подбира нет производительно Rg напряж и под шин

Заключение М тех реком

Тре ди закон* Например всяческая подте выс ка си ска шуня ОБ я мягким пол тор но вет треб выс ге (зажи га) резлю на **емк.

| Фем полная мощ примен под нап преобраз 1000В | – – точный поп зата над Tj опто затвор дра | име подставля из эти см стандарт ISO разраб Eu Ин сх |

Пол покупа: чис конкре типов: постав клю Тр моду обычно напр Ра.

На ос акту знать ант ска: Screw Sо только щ 12 лет то при сли корте, но близ об ком.

На отвед со пом мет* "штука* подтвер равно поща либо в файле перечен к прода п при выби мест склад.

Необходимо предоставить спец. каталог то вашем распре б необходимо прос предлага уч диста пред и вся вспом крив заря и поме низ про свинца моду сооб.

Надеюсь представленный поясн облег чет р о да послед дальней на Er про.