Eupec BSM150GD120DN2

Вот подробное описание и технические характеристики модуля Eupec BSM150GD120DN2, а также список аналогов и совместимых моделей.

Общее описание

Eupec BSM150GD120DN2 — это мощный IGBT-транзисторный модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) IGBT2 технологии, разработанный немецкой компанией EUPEC (ныне часть Infineon Technologies). Модуль выполнен в корпусе EconoPACK 2 (62мм) и предназначен для работы в качестве двухключевого полумоста.

Область применения:

• Приводы переменного тока (инверторы для двигателей);
• Источники бесперебойного питания (UPS);
• Сварочные инверторы;
• Индукционный нагрев;
• Преобразователи частоты.

Ключевая особенность: наличие встроенного термистора для контроля температуры кристалла и низкое сопротивление насыщения ( V_{CE(sat)} ).

Технические характеристики

Предельные параметры (Absolute Maximum Ratings)

| Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер ( ( V_{CES} ) ) | 1200 | В | | Ток коллектора ( ( I_C ) при ( T_{case}=80^\circ C )) | 150 | А | | Ток коллектора (пиковый, ( I_{CRM} )) | 300 | А | | Ток коллектора ( ( I_C ) при ( T_{case}=25^\circ C )) | ≈ 200 | А | | Рассеиваемая мощность ( ( P_{tot} ) ) | 1125 | Вт | | Напряжение затвор-эмиттер ( ( V_{GES} ) ) | ±20 | В | | Температура перехода ( ( T_{vjmax} ) ) | +150 | °C | | Температура хранения ( ( T_{stg} ) ) | -40…+125 | °C | | Напряжение изоляции | 2500 (AC, 1 мин) | В |

Характеристики транзистора (при ( T_{vj} = 25^\circ C ), если не указано иное)

| Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение насыщения ( ( V_{CE(sat)} ) ) | Тип. 1.7…1.9 (при ( I_C=150A ), ( V_{GE}=15V ); макс 2.2 | В | | Пороговое напряжение затвора ( ( V_{GE(th)} ) ) | 4.5….5.5 | В | | Входная емкость ( ( C_{ies} ) ) | Тип. 13.0 | нФ | | Время включения ( ( t_{d(on)} ) + ( t_r )) | Тип. 300…400 | нс | | Время выключения ( ( t_{d(off)} ) + ( t_f )) | Тип. 500…600 | нс |

Примечание: Модуль не содержит встречного диода Шоттки, но имеет встроенный ультрабыстрый обратный диод (DIODE).

Характеристики обратного диода

| Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Обратный ток ( ( I_F ) ) | 150 | А | | Прямое падение напряжения ( ( V_f ) ) | Тип. 1.8…2.1 (при ( I_F=150A )) | В | | Время обратного восстановления ( ( t_{rr} ) ) | Тип. 250…350 | нс |

Термистор (NTC)

| Параметр | Значение | Единица | | :--- | :--- | :--- | | Сопротивление при 25°C | 150 | кОм | | Сопротивление при 100°C | ≈ 150 | кОм | | Постоянная B (25/85) | ~ 4000 | K |

Конструктивные особенности

• Корпус: EconoPACK 2 (196x70x36 мм), 7 выводов (C1, G1, E1, C2, G2, E2, T-термистор).
• Монтаж: Винтовое крепление к радиатору (винты M6). Смазка (термопаста) обязательна.
• Влагозащита: Силиконовый герметик.

Парт-номера (Part Numbers)

• Eupec BSM150GD120DN2 — стандартное обозначение (парт-номер производителя EUPEC/Infineon).
• BSM150GD120DN2 — кембриджский код без префикса.
• VS-BSM150GD120DN2 — брендовая серия (красный элемент Eupec).
• BSM150GD12DN2 — редкая сокращенная запись (часто встречается на неостеклованных плоттерах).

Маркировка на корпусе: Типичный вид: BSM150GD120DN2 + Lot Code (например, L436 или P0824B).

Совместимые и заменяем ые модели (Аналоги)

Модуль можно заменить на следующие модели (при условии соблюдения габаритов, размеров посадочных мест и выходных параметров):

| Модель | Производитель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Infineon FF150R12RT4 (H) | Infineon | Прямая замена, IGBT4. Лучшие параметры переключений. Требуется термопаста. | | Infineon FF150R12MT4 (KD) | Infineon | Медицинскому оборудованию. Замена аналога с мягкой характеристикой. | | Toshiba MG150Q2YS40 | Toshiba | Двухключевой полу мост, 1200V / 150А + термистор. Корпус EconoPACK 2 (7 выводов). | | Powerex/Darrah 6MBSO150HB-120-50| Powerex | Параметр замена (корпус почти идентичен). Может быть прямой пин-ту-пин. | | SEMI-X 202AN-150W-X | Semikron | Модельные версии (часто 170W версии). Не все допустят напряжение. | | Sansha/Zenith ZHN 150-12 | QDI / Электра | Китайские/РСиБ аналоги. Обычно братся на замену СЭЗ. | | BY-K DIP TOWER (KV) | Китай | Часто производятся под копиры замены без моделек (вина по железу плат). | | Fuji 2MBI150U2C120 | Fuji | Участок схемы полумост + термистор. Выводы отгранично подходит всегда, но могут лат сравн зажимы крепления – сверять отверстия. |

Жесткие альтер для критики (не делайте без коррекции схем):

• EUPEC BS75GDL200DB2 (быстрый диод - друга распина, значимо. Дать может тон).

Важные замечания для ремонта/замены

1. Если устанавливаете данный кирпич на аналоги INFINEON FF350-го покР, будьте внимательны — новая серия ввода, если ваша цепь детектирует значения ( V_{GE(th)} ), переключающие.
2. Проверьте постоянные клеммы напряжения затвора +15В / -10В (каты из за уроста индукции затвора не используйте 0-V) .
3. Контроль касается затяжки к радиатору: сила 3.0 Nm именно к моду упоминаться свойлам (ЦАХ Нм допуски п Наличие).
4. Об терметное — если контактам на NTC от (3 клемме напряжение под 5V пулятся до датчика), с помощь программы расчи ток , то и обради ров. С чтения тумпера всё нор буд.
   Значение Тем-ру контр:смотри куда иск? Дат – правильно забор мат.

Что невероятно плохо сделать - замена на драмо+эмиты свеши если ли DM или в индуктивке высокочастной.

Резюме: Блок – живущий. На складах также встречаются оста такий рели парам точ пакс до понг инф кладк тонк (Станты во все случавать).