Eupec BSM100GB170DN2E3256

Отличный выбор! Eupec BSM100GB170DN2E3256 — это мощный и очень популярный IGBT-модуль второго поколения. Вот его подробное описание, технические характеристики и совместимая номенклатура.

Описание

Eupec BSM100GB170DN2E — это двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT), собранный по схеме "полумост" (Half-Bridge). Модуль 2-го поколения с технологией NPT (Non-Punch Through), которая обеспечивает хороший баланс между скоростью переключения, стойкостью к перегрузкам по току и положительным температурным коэффициентом напряжения насыщения (Vce(sat)). Это позволяет легко соединять модули параллельно для увеличения общей мощности.

Он предназначен для использования в мощных импульсных преобразователях, частотно-регулируемых приводах (ЧРП), инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленном сварочном оборудовании.

Ключевые особенности:

• Конструкция: Полумост (2 IGBT + 2 диода).
• Технология: NPT IGBT второго поколения.
• Корпус: Стандартный изолированный корпус с базовой пластиной (изолирующая подложка), что упрощает монтаж на радиатор и обеспечивает гальваническую развязку.
• Встроенные компоненты: Каждый IGBT снабжен своим антипараллельным быстрым восстановительным диодом (FRD).
• Интеллектуальность: Модуль не содержит встроенных драйверов, датчиков тока или защит (это "голый" силовой модуль). Для его управления требуется внешняя схема драйвера.

Технические характеристики (BSM100GB170DN2E3256)

Расшифровка обозначения:

• BSM: Серия модулей.
• 100G: Номинальный ток коллектора (Ic) = 100 А при Tj=80°C.
• B170: Номинальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces) = 1700 В.
• D: Конфигурация "Полумост" (Dual).
• N2: Поколение NPT-технологии (2-е поколение).
• E: Корпус E (стандартный изолированный модуль).
• 3256: Версия/модификация и код упаковки.

Основные электрические параметры (при Tj=25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | Vces | 1700 В | Максимальное блокирующее напряжение | | Номинальный ток коллектора | Ic | 100 А | При Tj=80°C | | Максимальный импульсный ток | Icm | 200 А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Vce(sat) | ~3.2 В | Типовое, при Ic=100A | | Общие потери на ключ | Ptot | 600 Вт | Суммарно на два ключа при Tj=80°C | | Время включения | ton | ~80 нс | | | Время выключения | toff | ~500 нс | | | Пороговое напряжение затвора | Vge(th) | 5.0 - 6.5 В | | | Рабочее напряжение затвор-эмиттер | Vges | ±20 В | Максимальное (рекомендуется +15В/-15В) | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) | 0.12 К/Вт | На каждый ключ (IGBT+диод) | | Максимальная температура перехода | Tj max | 150 °C | | | Вес | - | ~200 г | |

Параметры встроенных диодов:

• Прямой ток: If = 100 А.
• Прямое напряжение: Vf ~ 2.5 В (тип., при If=100A).
• Время обратного восстановления: trr ~ 250 нс.

Парт-номера и Совместимые модели

Производитель Eupec был приобретен компанией Infineon Technologies, и данная серия модулей была полностью интегрирована в продуктовый портфель Infineon.

1. Прямые аналоги от Infineon (полная совместимость):

Это тот же самый модуль, просто под новым названием. Номер может незначительно отличаться из-за изменений в системе маркировки.

• BSM100GB170DN2E3256 (оригинальный номер Eupec, все еще в ходу)
• BSM100GB170DN2E (основной номер без суффикса партии)
• BSM100GB170DN2HKSA1 (более поздний номер от Infineon, прямая замена)

2. Функциональные аналоги (полумост, 100А, 1700В):

Модули с аналогичными характеристиками, но от других производителей или более новых поколений. Требуется проверка распиновки и геометрии корпуса!

• Semikron: SKM100GB176D (аналогичные параметры)
• Fuji Electric: 2MBI100N-170 (серия "N" - NPT технология)
• Mitsubishi Electric: CM100DY-24H (CM100DY-24HA) (более старая серия, требует проверки)
• Infineon (новые поколения):
  • Серия IHM (третье поколение, высокая скорость): IHM100-170R2 (корпус может отличаться).
  • Серия PrimePACK™ (современная платформа) — это уже другой форм-фактор, не является прямым механическим аналогом.

3. Кроссплатформенные аналоги (для ремонта):

При поиске замены в ремонтных целях можно искать по ключевым параметрам:

• Конфигурация: Dual / Half-Bridge
• Ток: 100A
• Напряжение: 1700V
• Корпус: Стандартный модуль (E-type).

Важные примечания для применения:

1. Драйвер: Требуется мощный драйвер с током заряда/разряда затвора не менее нескольких ампер. Рекомендуемое напряжение: +15В для включения, от -8В до -15В для надежного выключения и защиты от сбоев.
2. Охлаждение: Обязательно использование радиатора с соответствующей теплопроводностью. Момент затяжки винтов крепления к радиатору указан в даташите (обычно в диапазоне 0.6-1.0 Нм).
3. Цепочки снабберов: Для подавления перенапряжений при коммутации индуктивных нагрузок часто необходимы RC-снабберы.
4. Даташит: Перед использованием обязательно изучите официальный даташит (Datasheet) от Infineon на модель BSM100GB170DN2.

Где искать информацию: На сайте Infineon Technologies в разделе "Power Semiconductors" -> "IGBT Modules" можно найти актуальные даташиты и документацию, используя как старый номер (Eupec), так и новый (Infineon).