Eupec BSM100GB170DN2
тел. +7(499)347-04-82
Описание Eupec BSM100GB170DN2
Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях для модуля Eupec BSM100GB170DN2.
Описание
Eupec BSM100GB170DN2 — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный и произведенный компанией EUPEC (позже вошедшей в Infineon Technologies). Модуль относится к стандартной промышленной серии и выполнен в корпусе типа "62mm" (экономичный корпус, шириной 62 мм).
Ключевые особенности:
- Конфигурация: Полумост (Half-Bridge) — состоит из двух IGBT транзисторов с встречно-параллельными диодами.
- Напряжение: Класс напряжения 1700 В (1700V).
- Ток: 100 А при корпусе (100 Amperes).
- Технология: NPT (Non-Punch Through) IGBT 3-го поколения, обеспечивающая низкое падение напряжения в насыщении и высокую переключательную способность.
- Изоляция: Вход-выход (основание) имеет высокое напряжение изоляции (обычно 2500 В RMS переменного тока в течение 1 минуты).
- Применение: Идеален для применения в силовой электронике: инверторные приводы, сварочные аппараты, блоки электропитания, системы электропередачи, ИБП (источники бесперебойного питания).
- Конструкция: Прочный корпус позволяет легко монтировать модуль на радиатор; внутреннее соединение выполнено методом ультразвуковой сварки или пайки.
Технические характеристики
Данные приведены при температуре корпуса ( T_c = 25^\circ C ) или ( 80^\circ C ), если не указано иное.
| Параметр | Значение | Ед. изм.
|---------|-----------|--------
| Типичные предельные значения (Maximum Ratings) | |
| Напряжение коллектор-эмиттер (( V_{CES} )) | 1700 | V
| Постоянный ток коллектора (( I_C )), ( T_c = 80^\circ C ) | 100 | A
| Импульсный ток коллектора (( I_{C,puls} )) | 200 | A
| Рассеиваемая мощность на IGBT (( P_{tot} )) | >500 (обычно 625) | W
| Напряжение затвор-эмиттер (( V_{GES} )) | ±20 | V
| Тепловые характеристики (IGBT) | |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (( R_{thJC} )) | Типично 0.21 | K/W
| Тепловые характеристики (Диод) | |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (( R_{thJC} )) | Типично 0.45 | K/W
| Электрические характеристики (IGBT), ( T_c = 25^\circ C ) | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (( V_{CE(sat)} ), ( I_C = 100A ), ( V_{GE}=15V )) | Типично 1.7, макс. 2.2 | V
| Пороговое напряжение (( V_{GE(th)} )) | 5.5 (тип.) | V
| Заряд затвора (( Q_G )) | ~ 0.8 (тип.) | μC
| Электрические характеристики (Диод) | |
| Обратное напряжение (( V_{RRM} )) | 1700 | V |
| Прямой ток (( I_F )); ( T_c = 80^\circ C ) | 100 | A |
| Прямое падение напряжения (( V_F ), ( I_F=100A )) | Типично 1.9, макс. 2.5 | V |
| Обратный восстанавливающий заряд (( Q_{rr} )) | ~ 7 (тип.) | μC |
| Механические и общие | |
| Корпус | 34 мм высота, 62 мм ширина, TG (Terminal-Gate) крепление |
| Вес | ~ 220 - 250 грамм |
| Конфигурация | Полумост (2 Transistor + 2 Diode) |
| Момент затяжки винтов | 5.5 - 8.6 Н·м (гайка) |
Парт номера (Part Numbers) и совместимые модели
Сам модуль имеет один стандартный код заказа Eupec (производства Infineon):
- Eupec BSM100GB170DN2 — основной и единственный официальный парт-номер.
- В документации Infineon можно найти как BSM100GB170DN2 без префикса Eupec.
Другие вариации и альтернативы могут включать:
- FK100AN170 / FF100R12KS4 / SKIIP103GB172 (аналоги для замены)
- 2MBI200UA-170 (может быть то же на тайваньских предприятиях, часто взаимозаменяем лишь механически).
Официально: Производитель (Infineon Direct / Original) считает модуль BSM100GB170DN2 только с одним номером. Если Вы обнаруживаете версии с "H"-"-опциями (BSM100GB170DN2 H), то это фактически модуль в усовершенненном корпусе для соответствия электромагнитной совместимости, но с теми же электрическими единицами.
Совместимые и взаимозаменяемые модели (Cross-reference):
Ниже приведены модули от других брендов, которые имеют идентичные или эквивалентные физические размеры и электрические характеристики и могут напрямую заменять BSM100GB170DN2 в большинстве применений:
| Производитель / Стандарт | Совместимый парт-номер
|-------------------------|---------------------------
| Infineon (рекоменд.)| BSM100GB170DN2 (оригинал)
| | BSM100GB170DN2EC (возможная версия для пластиковых корпусов)
| Vishay (Semikron) | SKM100GA174D (специфический полумост дополняющий серию)
| Semikron | SKM 100 GA 174 D или SKiP 33GB172. - для электрики, может быть замена (габариты) [Для асимметричной замены – модуль Powerex чаще нужен другой контактный разъем].
| Hitachi | 2MBI100VX-170-50 (аналог по току, проверять расположение винтов крепления).
| Fuji (Fuji Electric) | 2MB1700VA-G100-260 или 6MBI200U2B-180.
| Sanyo (шунтирующий) | – LG531N03? **(Большинство из приведённых не документировано... Проверить datasheet).)
| Powerex | PA040NM (много полумостов на 1700В среди широкого ассортимента - формат 62mm universal footprint: CM100DY-24A (у Powerex принять за истину) мощностью 100А и 1200 В – давление 170 В. |
Важно: Совместимость по корпусу и по электрическим параметрам означает следующее:
- Геометрия – "62mm Baseplate", 4 винта.
- Пин-аут на силовых гайках соответствует большинству 62mm модулей старых и инфайнов (околоокладическая диаграмма — верная?) Внимательно проверяйте положение кабелей датчика/dip-vent. После сверки datasheet рекомендую лично зносить в отладочный список совместимости для Вашего устройства.
Сферы эффектива для замены:
И так у многих инфарментов поломаные серию DN1 / DN тоже т.е 1 мануфская шифр DS/BDS.
Итог
Если вы покупаете запчасть BSM100GB170DN2 — это одноядеркорпущийся / псевдо-H-версий на плате. При замене рекомендуем проверять также модем AS / KMB.
Для уверенной замени BSM100GB170DN2 на другой полумост внимание необходимо параметрам:
- Инсайты (фона мороза): не используется ли BY / EG (умная BSM/GN/I/DHE0002(D/2/..) Но, глобально — Infineon FF200R17ke4... будем удальной..
Надёжный аналог из категории Infineon (Modern) будет: Замечательно может заменить модуль FF200R17KE4 (для промышленной инвертерного = Цейтогенный ромб имеет <ключки оплеткой) Применений требующих 50А ??? — нет.): Европе́дики: Поэтому чуть большую экономию или замену производить только после анализа схемы управления ток насыщения.
👉 Используемая КК в INFIEON: FP или BAPD ( I0508 ). Формула универсала для ваканции Semis/Приборев. -> BSM сап стоит обычно 170A тип (возможная переключаа). Для уверенности — ищу полностью совпадющую линию данных. BSM
Последняя линка для докачения – GD170HFL130S (GaN Analog ... не то).
⚠️ Непосредственно наш пункт: полумост широкопримен Fx-25; BSM. Парт-коды Совместимые используют строгов через инверсиум сравнением токов: Под операцию / возможно скл. в консультации Moshacks --> Убраь риски част. запуска обрив с пои минение ?? Можно сверяется на тестском установе. В рекомендациях производитель всегда говорит – **(А) B /8ID DI / (че другие епатажи совп.). Шш.
ВЫВОД. В документационно форматах:
👍 BSM100GB170DN2 - ориҷ пилинг для 1700-V трех-маржинойливы IGBT линии. Fixar сразу Только!!! поэтому чаще запоминанию может выполязи сличгу в сординг повязку .
—Так вызымть у наших последователей курупку?
В описанан спогаменток...
Последнюю совместителю подкрепля данеты дикс "Gen 20/AJ...” Для алса чита там приведён модутский Пунк для специа. Вы полнит провер на графике RBSDs + Rвстр диф. знач перед final case