Eupec 50GD120DN2G

Eupec 50GD120DN2G
Артикул: 1508802

производитель: Eupec
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Eupec 50GD120DN2G

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для IGBT-транзистора Eupec (ныне Infineon Technologies) 50GD120DN2G.

Общее описание

Infineon 50GD120DN2G — это дискретный IGBT-транзистор второго поколения (TrenchStop) в популярном корпусе TO-247. Он предназначен для применения в силовых электронных устройствах, где требуется высокое напряжение, средняя частота переключения и высокий ток.

Ключевые особенности:

  • Высокое напряжение: Позволяет работать в сетях 400В и 600В постоянного тока.
  • Низкое падение напряжения насыщения (Vce(sat)): Обеспечивает меньшие потери проводимости и, как следствие, более высокий КПД и меньший нагрев.
  • Встроенный быстрый обратный диод: Позволяет использовать его в инверторных схемах (например, частотные преобразователи, сварочные аппараты) без необходимости во внешнем диоде.
  • Корпус TO-247: Обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа.
  • Технология TrenchStop: От Infineon, обеспечивающая оптимальный баланс между низкими потерями на проводимость и скоростью переключения.

Типичные области применения:

  • Частотные преобразователи (ПЧ) для управления электродвигателями
  • Сварочные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Системы плавного пуска (Софт-стартеры)
  • Индукционные нагреватели
  • Солнечные инверторы

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-эмиттер напряжение | VCES | 1200 | В | Максимальное напряжение | | Постоянный ток коллектора (при T=25°C) | IC | 50 | А | | | Ток коллектора (при T=100°C) | IC | 25 | А | Более реалистичный параметр | | Импульсный ток коллектора | ICM | 100 | А | | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | VCE(sat) | 2.35 (тип.) | В | При IC=50А, VGE=15В | | Падение на встроенном диоде | VF | 1.9 (тип.) | В | При IF=50А | | Энергия включения | Eon | 3.0 (тип.) | мДж | При IC=50А, VCC=600В | | Энергия выключения | Eoff | 1.0 (тип.) | мДж | При IC=50А, VCC=600В | | Скорость нарастания напряжения | dv/dt | 10 | кВ/мкс | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | RthJC | 0.45 | °C/Вт | | | Максимальная температура перехода | Tvj | +175 | °C | | | Напряжение управления затвором | VGE | ±20 (макс.) | В | Рекомендуемое: +15В / -5...-15В |


Парт-номера и совместимые модели

Этот транзистор имеет несколько вариантов обозначений и прямых или функциональных аналогов от других производителей.

1. Прямые аналоги (тот же корпус и характеристики):

  • Infineon: IKW50N120T2 (более новая версия в линейке Infineon, часто является прямой заменой).
  • Fuji Electric: 2MBI50N-120 (модуль, но с аналогичными ключевыми параметрами).
  • SEMIKRON: SKM50GB12T4 (модуль).

2. Функциональные/перекрёстные аналоги (сопоставимые параметры, другие производители):

  • IXYS (Littelfuse): IXGH50N120B3
  • STMicroelectronics: STGW50HF120S (серия STGW, быстрый IGBT)
  • ON Semiconductor (Fairchild): FGH50N120SMD
  • Toshiba: GT50QR121 (устаревшая модель)

Важно: При замене всегда необходимо сверяться с даташитами, особенно обращая внимание на:

  • Напряжение затвора (VGE): Рекомендуемые и максимальные значения.
  • Время переключения и энергии (Eon/Eoff): Могут отличаться, что влияет на работу на высоких частотах.
  • Распиновка (pinout) корпуса.
  • Наличие и параметры внутреннего диода.

3. Парт-номера для заказа:

Основной номер для заказа — 50GD120DN2G. Также может встречаться в виде полного артикула с префиксом, например, в старых каталогах EUPEC 50GD120DN2G.


Ключевые рекомендации по применению:

  1. Схема управления затвором: Используйте драйвер IGBT с рекомендуемыми напряжениями (+15В для включения, -5...-15В для надежного выключения и защиты от сбоев). Это критически важно для стабильной работы.
  2. Теплоотвод: Из-за высокой рассеиваемой мощности обязательна установка на радиатор с термопастой. Рассчитывайте радиатор исходя из реальных потерь в вашем устройстве.
  3. Петли коммутации: Делайте силовые и управляющие проводники как можно короче для минимизации паразитных индуктивностей.
  4. Защита: В схему рекомендуется включать снабберные цепи (RC, RCD) для ограничения выбросов напряжения при переключении, особенно на индуктивной нагрузке.

Где искать информацию: Актуальные даташиты и документацию всегда следует скачивать с официального сайта Infineon Technologies, так как это текущий правообладатель бренда Eupec.

Совместимые модели для Eupec 50GD120DN2G

Eupec 50GD120DN2G

Товары из этой же категории