Microsemi 1N5816

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для диода Microsemi 1N5816.

Описание

Microsemi 1N5816 — это выпрямительный диод Шоттки, предназначенный для использования в источниках питания, DC-DC преобразователях, схемах обратной защиты полярности и других приложениях, где критически важны низкое прямое падение напряжения и высокое быстродействие.

Ключевые особенности:

• Технология Шоттки: Использует барьер Шоттки (металл-полупроводник), что обеспечивает очень малое падение напряжения (порядка 0.45В) и высокую скорость переключения (практически отсутствует время восстановления).
• Низкое прямое напряжение (Vf): Уменьшает потери мощности и нагрев, повышая общий КПД системы.
• Высокий импульсный ток: Способен выдерживать значительные кратковременные перегрузки.
• Планарная конструкция: Обеспечивает высокую надежность и стабильность параметров.

Основные области применения:

• Выходные выпрямители в импульсных источниках питания (SMPS).
• DC-DC преобразователи (повышающие, понижающие, инвертирующие).
• Защита от обратной полярности в цепях питания.
• Свободноходовые диоды в схемах с индуктивной нагрузкой.
• Солнечные панели и системы с низковольтным питанием.

Технические характеристики (Типовые / Максимальные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Максимальное постоянное обратное напряжение | Vrrm (Vr) | 20 В | | | Максимальный средний выпрямленный ток | Io | 1.0 А | | | Пиковый повторяющийся импульсный ток | Ifrm | 25 А | Длительность 1 мс, скважность 1% | | Прямое падение напряжения | Vf | 0.45 В (макс. 0.75 В) | При If = 1.0 А, Tj = 25°C | | Обратный ток утечки | Ir | 0.5 мА (макс. 1.0 мА) | При Vr = 20 В, Tj = 25°C | | Максимальная рабочая температура перехода | Tj | -65°C ... +125°C | | | Тепловое сопротивление переход-окружающая среда | Rθja | 100 °C/Вт | Для корпуса DO-41 | | Емкость перехода | Cj | 70 пФ | При Vr = 0 В, f = 1 МГц |

Вольт-амперная характеристика (ВАХ): Резко нелинейная, с очень крутым подъемом в прямой области и низким напряжением отсечки.

Парт-номера и совместимые модели

Диоды серии 1N581x являются отраслевым стандартом. Модели отличаются максимальным обратным напряжением.

1. Прямые аналоги по серии (различаются напряжением):

• 1N5817 — аналог на 30 В.
• 1N5818 — аналог на 40 В.
• 1N5819 — самый популярный аналог на 60 В.
• SB160, SB170, SB180, SB190 — серия International Rectifier (Infineon) с аналогичными параметрами.

2. Прямые функциональные аналоги от других производителей (20В, 1А):

• STMicroelectronics: STPS1L20A, 1N5816HW-7-F
• ON Semiconductor: MBR120P, 1N5816G
• Vishay: 1N5816, SB120
• Diodes Incorporated: 1N5816, SK12
• Rohm: RB160L-20
• Fairchild (onsemi): SS12
• Comchip: CBR1A20

3. Совместимые модели в других корпусах (для монтажа на поверхность - SMD):

• SMA (DO-214AC): SS12, SK12, MBR120, RB160L-20
• SMB (DO-214AA): SS22, SK22, MBR220, RB160L-20 (в SMB часто ставят на больший ток)
• SOD-123: MBRS120 (менее распространен для 1А)

Важное примечание по замене: При выборе аналога необходимо сверять не только основные параметры (Vr, Io), но и:

• Прямое напряжение (Vf) — для критичных к КПД схем.
• Рабочую температуру и тепловые характеристики.
• Тип корпуса и монтажные размеры.

Микросеми 1N5816 является надежным и широко распространенным компонентом, и его замена на аналог от другого производителя обычно не вызывает проблем при корректном подборе по электрическим характеристикам.