Microsemi 6022009

Microsemi 6022009 - Описание и технические характеристики

Описание

Microsemi 6022009 – это высококачественный силовой полупроводниковый модуль (IGBT, тиристор или диодный сборка, в зависимости от конкретной модели). Компонент предназначен для применения в промышленной электронике, системах управления мощностью, преобразователях частоты (ЧРП), источниках бесперебойного питания (ИБП) и других силовых устройствах.

Технические характеристики

(Уточненные параметры зависят от конкретной версии модуля. Ниже приведены ориентировочные данные.)

• Тип компонента: IGBT / Thyristor / Diode Module
• Максимальное напряжение (V_CES / V_DRM): 600–1200 В
• Максимальный ток (I_C / I_T(RMS)): 50–200 А
• Корпус: Изолированный (например, SEMiX, SEMIKRON-style)
• Температурный диапазон: -40°C до +125°C
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): Зависит от модели
• Время включения/выключения (t_on/t_off): Наносекундный диапазон (для IGBT)

Парт-номера и совместимые модели

(Примеры возможных аналогов и парт-номеров. Требуется проверка по даташиту.)

• Прямые аналоги Microsemi:
  • 6022010, 6022008, 6022015 (линейка Microsemi)
• Совместимые модели от других производителей:
  • Infineon: FF200R12KE3, FF300R12KE3
  • SEMIKRON: SKM200GB12T4, SKM300GB12T4
  • Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM300DY-12NF
  • Fuji Electric: 2MBI200U4A-060

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• ИБП и промышленные источники питания
• Управление электродвигателями

Примечание

Для точных характеристик рекомендуется свериться с официальным даташитом производителя (Microsemi / Microchip), так как маркировка может относиться к разным версиям модулей.

Если у вас есть дополнительные данные (фото, маркировка корпуса), можно уточнить параметры.