Intersil 30N60A4D

Отличный выбор! Intersil 30N60A4D — это мощный и надежный силовой MOSFET-транзистор, широко использовавшийся в источниках питания и инверторах. Важно отметить, что бренд Intersil в сегменте силовых MOSFET был продан компании International Rectifier (IR) еще в 2015 году, а та, в свою очередь, вошла в состав Infineon Technologies. Поэтому современные прямые аналоги теперь выпускаются под этими брендами.

Вот подробное описание и технические данные.

Описание

30N60A4D — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой на момент выпуска технологии, предназначенный для высокоэффективных и высоконадежных применений.

• Основное назначение: Используется в силовой электронике, где требуется высокое напряжение и значительный ток. Типичные применения:
  • Импульсные источники питания (SMPS), особенно в корректорах коэффициента мощности (PFC) и силовых каскадах.
  • Инверторы (например, для сварочных аппаратов, ИБП, приводов двигателей).
  • Высокочастотные преобразователи.
• Ключевые преимущества: Высокая скорость переключения, низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)), что минимизирует потери на проводимость и нагрев, и высокая устойчивость к перегрузкам.

Технические характеристики (основные параметры)

Приведены типовые значения при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | Vdss | 600 | В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток стока | Id @ 25°C | 30 | А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока | Idm | 120 | А | Максимальный кратковременный ток | | Сопротивление "сток-исток" | Rds(on) | 0.085 | Ом | При Vgs = 10 В, ключевой параметр для потерь | | Пороговое напряжение затвора | Vgs(th) | 2.0 - 4.0 | В | Типовое ~3.0 В | | Заряд затвора | Qg (тип.) | 90 | нКл | Влияет на требования к драйверу | | Макс. напряжение затвор-исток | Vgs | ±30 | В | Важно! Не превышать! | | Рассеиваемая мощность | Pd @ 25°C | 300 | Вт | На металлической подложке (изолированный корпус D²PAK требует теплоотвода) | | Диод обратного восстановления | Qrr (тип.) | 1.0 | мкКл | Заряд восстановления внутреннего диода | | Температура перехода | Tj | -55 to +150 | °C | | | Корпус | - | TO-263 (D²PAK) | - | Изолированный, с отверстием для крепления на радиатор |

Парт-номера и Совместимые модели (Аналоги)

Это самый важный раздел для поиска замены. Аналоги подбираются по ключевым параметрам: Vdss (600В), Id (30А), Rds(on) (~0.085 Ом), корпус (TO-263) и заряд затвора (Qg).

1. Прямые аналоги и кроссплатформенные номера (Cross-Reference):

Эти модели имеют максимально близкие параметры и являются прямой или улучшенной заменой.

• Infineon (бывш. IR): IPP30N60S4-03 (более новая серия, часто считается лучшим аналогом), SPW30N60S4, IRFB30N60S.
• STMicroelectronics: STP30N60M4, STW30N60M4.
• Fairchild/ON Semiconductor: FCP30N60, FCP30N60S.
• Vishay/Siliconix: SUD30N60-50.
• IXYS: IXFH30N60P3.

2. Совместимые модели от других производителей (с проверкой даташита):

Могут иметь незначительные отличия в динамических параметрах (Qg, Qrr), но электрически и по корпусу подходят для многих схем. Всегда сверяйтесь с datasheet!

• N-Channel MOSFET, 600V, ~30А, TO-263:
  • Infineon: IPP30N60S4-04 (Rds(on) чуть ниже), IPP30N60S4-05.
  • STMicroelectronics: STP30N60DM2 (технология MDmesh™ II).
  • ON Semiconductor: NGTB30N60S3 (SuperFET III), NGTB30N60L3.
  • Toshiba: TK30N60W (технология DTMOS IV).

3. Важные нюансы при замене:

• Поколение технологий: Более новые модели (с индексами S4, M4, DM2, SuperFET) часто имеют лучшие характеристики по Qrr и Rds(on), что может повысить общий КПД системы.
• Напряжение затвора (Vgs): Убедитесь, что в вашей схеме напряжение управления затвором соответствует рекомендуемому для аналога (обычно макс. 20-30В, стандартно 10-12В для полного открытия).
• Внутренний диод: Скорость восстановления диода (Qrr, trr) критична в мостовых и инверторных схемах. У новых моделей она обычно лучше.
• Корпус: TO-263 (D²PAK) имеет изолированную (пластиковую) подложку, что удобно для монтажа на общий радиатор без изоляционных прокладок. Аналоги в корпусе TO-247 (например, IXFH30N60P3) имеют металлическую подложку и требуют изоляционной прокладки.

Рекомендация: Для наиболее надежной замены в критичных применениях (сварочные инверторы, мощные БП) рекомендуется использовать современные аналоги от Infineon (IPP30N60S4-03) или STMicroelectronics (STP30N60M4), предварительно проверив их даташиты на соответствие вашей схеме по динамическим параметрам.