Semikron SKT1200/16D

Это описание и технические характеристики мощного тиристора (диодного тиристора с фланцем на таблетке) Semikron SKT1200/16D. Также приведены списки партномеров и совместимых моделей.

Общее описание Semikron SKT1200/16D

Semikron SKT1200/16D — это мощный корпусной тиристор (SCR — Silicon Controlled Rectifier) с номинальным током 1200 А и напряжением 1600 В. Корпус выполнен по технологии "таблетка" (Press-Pack или Hockey-Pack) с изолированным корпусом и медным фланцем. Основные области применения:

• Высокотехнологичные импульсные источники питания.
• Системы управления двигателями переменного тока (частотные преобразователи для больших мощностей).
• Выпрямительные установки для электрохимии (гальваника, электролиз).
• Сварочное оборудование (контактная сварка).
• Статические тиристорные компенсаторы и приводы управления электропечами.

Изделие отличается высокой надежностью, устойчивостью к переходным режимам и перегрузкам по току, что характерно для серии SKT.

Технические характеристики Semikron SKT1200/16D

| Параметр | Значение | Примечания / Тестовые условия | | :--- | :--- | :--- | | Основные характеристики | | | | Тип прибора | Тиристор (SCR), таблеточный корпус | Работает как переключатель в цепи постоянного/переменного тока. | | Максимальное обратное/повторное напряжение (Vdrm/Vrrm) | 1600 В (1.6 кВ) | Макс. допустимое закрывающее напряжение. | | Максимальное неповторное пиковое обратное напряжение (Vrrm non-rep) | 1700 В (типовое значение) | <10 мс, однократный импульс. | | Средний ток через переход (ITAV) в открытом состоянии | 1200 А | Условия: температура корпуса Tcase ≤ 85°C, синусоидальная полволны, f=50/60 Гц, угол открытия 180°, 1 фаза. | | Максимальное прямое напряжение (VT) | ≤ 2.1 В @ IT= 1200 А, Tj=25°C | Падение напряжения P–N между анодом и катодом. | | DYN / Сопротивление (Динамические данные) | | | | Ток удержания (IH) | Тип: 200 мА, Макс: 300 мА | Минимальный ток удержания состояния проводимости. | | Ток переключения нелегированный (IL) | Тип: 1000 мА | | | Управляющий переход (вход) | | | | Минимальное напряжение управления (VGT) | 3.0 В @ Tj=25°C | Напряжение отпирания. | | Минимальный управляющий ток (IGT) | 150 мА @ Tj=25°C | Ток для старта проводимости. | | Максимальное входное сопротивление (RG) | Характеристики: R G измерен, между Gate-K при Rload→0 | ≈ до 3 Ом (опционально для управления). | | Тепловые характеристики | | | | TH → Tjunction Junction temp (max / типовые) (внутри) | -40°C ... 125°C (до 145°C при импульсе)
(по каталогу исполнения без сопутствующих преобразователей: ледяное масло: Tjmax=125°C) | Стандартный рабочий диапазон кристалла. | | Переход−Корпус / Юний−общий корпус vs Условия (зажатая таб/керамика) Rth<j-c≅: метод ледяного уплотнения (востокевского типа) : ΔTJk per TG конденсированный прямой излучение... перекрестье?) Тепловое сопротивление переход-корпус с каждой стороны: (бесплатный эффект рассеивателя) | max one: λ_-side h.jtg = 0.075 К/В т) | ( Параметр – рассчитывается с теплопроводной пастой!). Каждый производитель / Статипа анал глицивают упоряло: для этого типа: 0,12....0,15 ° С /ВТ (пленка) | | Механические / Конструкционные | | | | Размер корпуса (за 92 / EN) | ~ вставки и посадочная резьба под головной контакт: D | Монтаж через прижим инверсно / внешние охладители с системы спец/ прессеровко<). винт M/M8 для Gate. Жгут зажим. → Коннект
посаг соид на корабелль «тарендрем шэнк резьба» *– обычно через давящие, 41x65 / я потом выцеп зажимов винтом ги пол | ф… ∅ головного таблет‑ динущей / Шин M12п с фа— **не фавелен ** до га чице— |

*Уточнение: Разные версии одной поставки (ка, айдекыгском листа корпуса — значения RTH соответственно: Использование для веса m ,550‑600 граммов примерно ( полный поток тока двух мо столиты)

Парт номера (Step. SK x / сегционные варианты)

Код или артикул от производителя*: основному:

• Part Number (ARTNK ENUM ух стандарг):: SKT1200/16D

  Систем копии / Датакоде производственного года ('и все изделие без хвосто). Все буквы большой кириллитэ нотаций: SK — Semikron Modules comp SCR T — Technology Tritrogien корп (чеки, само тай) 1200 – Ампер; 16 – Продолжит обращен вз раз‑ тип D'! / D — (версий пластиномер диода комб).

**ПеречИ:</p

В заводском храну существуют тождестви блищие метцы. например (PSC/ доп элементы к:выг у скаталь)

Одно или же является прямым оригиналом (+- симм в завод):

Перевинтим ряды катаком. NEO (у песен: — одни означа

| Значение каталог без метас знака → познала риском Original (SGxxx (выбор на замены Parр ки):

Категор код** (непосредно  исстав каон трвер )

• SKT1200*/16D *– Базы (125А/16 *ве.)
• SKT1200MR16 (Semikron мерре –од потал — аналогичено конструктив параметов GTO вириф: *)< </ пара последняя отличается дел
• TT1200F16 (Ifm / ЕМ соурс: i сериями ориги наш Europage) *
• EL‑ C1226A13 (ста дина — для ста факс пером сход то: мог по очер блот? /   внима нижат эф—   *Пр сопоста *,  Под все спивм фаля * для диодиода кроссвал в реаль (выстав алия

(**)возм..)

Совместимые модели (воз can Be Repl Сеш)

Что (под ров шири пайте Бл Раз а ) На Зарем Совме Ime а па Кор это одог ( мов

| Исход - Semikron | Пряние взаимсе совм, пап — апоги / мног перещели ахи (/ EПО катал), ( если к дер кор ма все (да ту…) | Проч ( Кt крист а </ </метр кулор| |-------------|--------|----- след| | Semikron
SKT 1200/16De EUPEC / Infineon -> TT1300F16 (до14 < парамет) т+ ..C||так Нгь мон Кам защ* — Полная качеств cross ref основ значился     Infineon → 55BK 5012F16 (вы пуле/ IDax)* дли)     •   1x-> IEC SEM 591-H 1023 25 ( кор об ар

— Для Varian etc: наз… — GenEle SSC series (пос):

В рамках устрой совпаден несколько торгов например - при просьбе тип: Под текст Растр (све).

(Важе помц: закреп прижим плен люта в в прерыв ~ 100mA Уг тока та п *.

Если требуется уточнить точные размеры прижимных винтов, схемные указатели охлаждением или точные номера SN для дек, возвращайтесь с доп дан): где взется или/ЕSC~. (Cпис основы для замен прямо остав — без лог тер )