Semikron SKM50GD123D

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых аналогах для модуля Semikron SKM50GD123D.

Краткое описание

Semikron SKM50GD123D — это мощный IGBT-транзисторный модуль (Half-Bridge / Полумост) в корпусе SEMITRANS 3. Характеризуется встроенным диодом с ультрабыстрым восстановлением, что позволяет использовать его в приложениях с высокой частотой переключения.

• Конфигурация: Два IGBT с обратными диодами (полумост).
• Корпус: SEMITRANS 3 (дюймовый или метрический винт).
• Изоляция: Основная пластина керамическая с защитным покрытием (DBC, Direct Bonded Copper).
• Сфера применения: Частотные преобразователи, инверторы, сварочное оборудование, мощные источники питания, приводы для электродвигателей.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Максимальные значения (TJ = 25°C) | | | | К-во коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Коллекторный ток (IC) | 50 А | При TC = 80 °C (базовая пластина) | | Импульсный коллекторный ток (ICM) | 100 A | Длительность импульса 1 мс | | Мощность потерь (Ptot) | 310 Вт | (Принято к сведению) | | Температура перехода (TJ) | -40 ... +150 °C | Максимальная рабочая | | Температура хранения (Tstg) | -40 ... +125 °C | | | Электрические параметры (TJ = 25°C) | | | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.7 В (тип.) | Типичное, при IC = 50 A, VGE = 15 В | | | | 2.0 В (макс.) | | | | Пороговое напряжение (VGE(th)) | 5.8 В (тип.) | | | | Время включения (ton) | ~50 нс (тип.) | При помощи внешних цепей | | Время выключения (toff) | ~250 нс (тип.) | | | | Параметры диода | | | | Обратный ток диода (IF) | 50 A | | | Время обратного восстановления (trr) | ~200 нс (тип.) | | | Падение напряжения диода (VF) | 2.0 В (тип.) | При IF = 50 A |

(Значения типовые. Точные данные см. в даташите.)

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

1. Оригинальное обозначение Semikron:

• SKM50GD123D — стандартный винтовой дюймовый корпус.
• SKM50GD123DMK — версия с метрическими винтами (часто используется в современных установках).

2. Прямые аналоги (Drop-in Replacement) от других производителей (100% совместимость по цоколевке и электричеству):

Все перечисленные ниже — аналоги, полумост 1200B / 50A:|

• International Rectifier (Infineon):
  • IRG4PH50UD (одиночный, требует два модуля или сравнение по конфигкуции)
  • GA50HS120T2D
• IXYS:
  • IXGH50N120B2 (одиночный, сравнение двух транзисторов)
  • IXYH50N120C3
• Vincotech:
  • A0-VP4205D3212F1
• Fuji Electric:
  • 2MBI50UD120-XX
• Mitsubishi:
  • CM50H-24H (устаревший, но электрически подходящий).

Важное примечание про аналоги: Лучший и самый близкий 1:1 аналог — Semikron SKKD120/12 или SEMIX151GD12Тs. ]

3. Дополнительно (Если интересует диагностика): Мультиметр показывает между первым (С) и вторым (Е1) проводами два диода в одном пакетах-расслоения основания/точка включения в соответствующих положения — идентифицируют их как IGBT плюс диод обратного хода времени восстановления.

Рекомендации по замене (Support Suggestion)

При замене SKM50GD123D нужно обратить внимание на раскрывающийся корпус (SEMITRANS 3). Если модуль имеет болты M5/M6, убедитесь, что аналог имеет такое же положение выводов скд(slot) and hole pattern of mounting holes c layout доска)

• Самый безопасный способ — заменить на оригинальный Semikron SKM50GD123D (или версию ).

Подведем итог: SKM50GD123D — мощный IGBT полумост (1200В, 50А) от Semikron для тяжелых условий эксплуатации.

Если стоит более "сервисная" поддержка,

• Fuji Electric: 2MBI50UE-120 (полумост, 1200В, 50А)
• Infineon: DFS100-123D34 (полумост нового поколения на 1000A, но попробовать можно подстраховавшись скобпом).

Список номеров (быстрый выбор): Semikron — основное производство -> обычно Bт.к.

• SKM50GD123D [-A] ()
• **13] ->**SKM50GA12D4 (версия от откопирует конkфигурацую например c).

Итог:Ваш выбор: Если у вас просто обслуживание заменой.

**Совет по таймингу кропотливого монтажа: ** Следует использовать теплоохлаждающую пасту + состояние всегда находится.