G&L ME15N10-G — описание, характеристики, партномера и совместимость

Описание

G&L ME15N10-G — это N-канальный MOSFET (полевой транзистор) с индукционным каналом, изготавливаемый в корпусе TO-220 (либо TO-220F в зависимости от исполнения партии). Применяется в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, драйверах двигателей и схемах коммутации нагрузки.

Транзистор отличается низким сопротивлением в открытом состоянии, высокой скоростью переключения и устойчивостью к лавинному пробою. Буква «-G» в маркировке традиционно обозначает исполнение в бессвинцовом (RoHS-совместимом) корпусе — в отличие от версии без суффикса «-G».

⚠️ Примечание по производителю: под маркировкой «G&L» может фигурировать несколько азиатских производителей (в т. ч. GLE / Global Lighting Electronics). Точные параметры конкретной партии рекомендуется сверять с даташитом продавца — приведённые значения соответствуют типовым для приборов данного класса.

Технические характеристики (типовые)

| Параметр | Значение | |---|---| | Тип | N-канальный MOSFET, обогащённый (enhancement mode) | | Корпус | TO-220 / TO-220F (изолированный фланец — по исполнению) | | Напряжение сток-исток V_DS | 100 В (маркировка «N10») | | Ток стока I_D (25 °C) | ~15 А (маркировка «15») | | Сопротивление открытого канала R_DS(on) | ~0,07–0,09 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение V_GS(th) | 2,0–4,0 В | | Макс. напряжение затвор-исток V_GS | ±20 В | | Макс. рассеиваемая мощность P_D (25 °C) | ~75–100 Вт (зависит от корпуса) | | Заряд затвора Q_g | ~15–30 нКл (типовое) | | Время включения / выключения | единицы–десятки нс (высокоскоростной) | | Рабочая температура перехода | −55 … +150 °C | | Особенности | лавинная устойчивость, быстрый переключатель, RoHS («-G») |

Партномера

• ME15N10-G — базовый артикул
• ME15N10 — версия без суффикса «-G» (не RoHS / с содержанием свинца в покрытии — по исполнению)
• ME15N10G — встречается как слитное написание того же артикула

Универсального международного партномера (как у ST, Infineon и др.) для данного прибора нет — идентификация по маркировке на корпусе. При заказе указывайте полное обозначение «ME15N10-G» и требуемый корпус (TO-220 / TO-220F).

Совместимые модели (аналоги по параметрам 100 В / ~15 А, TO-220)

Прямых «pin-to-pin» сертифицированных заменителей производитель не публикует, поэтому ниже — функциональные аналоги с близкими параметрами (обязательна проверка по даташиту конкретной схемы):

| Модель | V_DS | I_D | Примечание | |---|---|---|---| | IRF540N | 100 В | 33 А | распространённый аналог, больше ток | | IRF530N | 100 В | 17 А | близкий по току | | STP16NF10 | 100 В | 16 А | ST Microelectronics | | FQP16N10 | 100 В | 16 А | Fairchild/ON Semi | | 2SK2645 / 2SK2854 | 100 В | 15 А | японские аналоги | | BUZ11 | 50 В | 30 А | ⚠️ ниже напряжение — не полный аналог |

Совместимые модели оборудования / где применяется

Отдельного перечня «совместимых устройств» для дискретного MOSFET не существует — он универсален. Типичные области применения:

• импульсные блоки питания (SMPS) и DC-DC преобразователи;
• драйверы электродвигателей, ШИМ-регуляторы;
• коммутация нагрузок в автомобильной и промышленной электронике;
• инверторы, зарядные устройства, балласты освещения;
• устройства, где штатно применялись IRF540/IRF530/2SK-серия в корпусе TO-220.

Для точного подбора замены в конкретном устройстве нужна принципиальная схема и проверка: напряжения, тока, заряда затвора и типа корпуса (изолированный/неизолированный фланец).

Если нужно — могу:

1. Составить сравнительную таблицу с конкретным аналогом (например, IRF540N vs ME15N10-G);
2. Помочь проверить пригодность замены в вашей схеме (укажите режим: напряжение, ток, частоту).