IGBT модуль 6MBI75UC120-52

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для IGBT-модуля 6MBI75UC120-52.

Описание

Модуль 6MBI75UC120-52 — это IGBT-модуль второго поколения (Gen 2), производимый компанией Fuji Electric. Это полномостовой инверторный модуль (7-й корпус), который содержит 6 IGBT-транзисторов и 6 диодов, образующих три плеча мостовой схемы (полумоста). Он предназначен для преобразования постоянного тока в переменный (инвертирования) и широко используется в силовой электронике.

Ключевые особенности:

• Конструкция: Многочиповый модуль в изолированном корпусе. Медная основа с керамической изоляцией (AL2O3 - оксид алюминия) обеспечивает эффективный отвод тепла и электрическую изоляцию до 2500 В.
• Встроенные компоненты: Каждое IGBT-плечо имеет антипараллельный диод (FRD - Fast Recovery Diode) для работы с индуктивной нагрузкой.
• Низкое падение напряжения: Благодаря технологии Gen 2, модуль обладает низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)), что приводит к меньшим потерям проводимости и более высокому КПД.
• Высокочастотная коммутация: Подходит для работы на повышенных частотах широтно-импульсной модуляции (ШИМ).
• Температурная стабильность: Высокая максимальная рабочая температура перехода (Tvj op = 150 °C).

Основные области применения:

• Частотные преобразователи (ЧП, VFD) и сервоприводы
• Промышленные двигатели переменного тока
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электроприводом
• Сварочное оборудование
• Возобновляемые источники энергии (инверторы для солнечных батарей)

Технические характеристики

Электрические характеристики (при Tj = 25°C, если не указано иное):

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Коллектор-Эмиттер напряжение | Vces | 1200 | В | | Номинальный ток (Tc=80°C) | Ic | 75 | А | | Ток импульса (1ms) | Icp | 150 | А | | Напряжение насыщения (Collector-Emitter) | Vce(sat) | 3.0 (тип.) | В | | Пороговое напряжение затвора | Vge(th) | 5.6 (тип.) | В | | Рабочее напряжение затвор-эмиттер | Vges | ±20 | В | | Прямое напряжение диода | Vf | 2.7 (тип.) | В | | Время включения | ton | 110 | нс | | Время выключения | toff | 550 | нс | | Время восстановления диода | trr | 170 | нс | | Тепловые характеристики | | | | | Тепловое сопротивление переход-корпус | Rth(j-c) | 0.21 | °C/Вт | | Макс. температура перехода | Tj | 150 | °C | | Изоляция | | | | | Сопротивление изоляции (мин.) | Riso | 2500 | В | | Монтаж и вес | | | | | Момент затяжки винтов | | 2.0 - 2.5 | Н·м | | Вес (приблизительно) | | 130 | г |

Парт-номера и совместимые модели

Модуль 6MBI75UC120-52 является частью обширного семейства и имеет прямые или функциональные аналоги у других производителей.

1. Парт-номера Fuji Electric (внутренние и альтернативные):

• 6MBI75UC-120 (часто используется сокращенное написание)
• 6MBI75UC120 (без дефиса в конце)
• 6MBI75UС120-52 (кириллическая "С" вместо латинской "C" - опечатка, но встречается в поиске)

2. Функционально совместимые аналоги (Cross-Reference) от других производителей:

Внимание! При замене аналогом необходимо сверять:

1. Распиновку (pinout) и механические размеры.
2. Характеристики (особенно Vge(th) и динамические параметры), так как они могут незначительно отличаться, что может потребовать корректировки драйвера.
3. Качество изоляции и момент затяжки.

| Производитель | Модель-аналог | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | FF75R12RT4 | Очень популярный и распространенный аналог. Требует проверки распиновки. | | SEMIKRON | SKM75GB128D | Прямой конкурент, аналогичные характеристики. | | Mitsubishi Electric | CM75TU-24H | | | Powerex (Mitsubishi) | CM75TU-24H | | | ON Semiconductor | NVX75F120N1SC1 | Модуль серии NX, современный аналог. |

Важно: Наиболее близким и часто используемым прямым аналогом является модуль Infineon FF75R12RT4. Однако перед установкой всегда рекомендуется сверяться с даташитами обоих модулей, особенно разделы с механическим монтажом и цоколевкой.

Рекомендации по применению:

• Для управления модулем необходимо использовать специализированные драйверы IGBT (например, серии M57962L/M57959L от Mitsubishi, серии 2SC0435T от CONCEPT/Infineon и др.), обеспечивающие достаточный ток заряда/разряда затвора.
• Обязательно использовать термопасту для эффективного отвода тепла на радиатор.
• Затяжку силовых и монтажных винтов производить с рекомендуемым моментом для избежания повреждения корпуса и обеспечения хорошего теплового контакта.
• Для подавления перенапряжений при коммутации рекомендуется использовать snubber-цепи.