Fuji 2MBI50J-120
тел. +7(499)347-04-82
Описание Fuji 2MBI50J-120
Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация по парт-номерам и совместимости для модуля Fuji 2MBI50J-120.
1. Общее описание
Fuji 2MBI50J-120 — это мощный IGBT-транзисторный модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), выполненный по технологии NPT (Non-Punch Through). Он предназначен для высокочастотной коммутации в промышленном оборудовании.
- Тип корпуса: J-образный модуль (классический корпус Fuji серии J).
- Структура: Полумост (Upper + Lower Arm). Внутри модуля находятся два IGBT транзистора (полумост) с встречно-параллельными диодами быстрого восстановления (FRD).
- Назначение: Используется в силовых цепях преобразователей частоты (VVVF), сварочных инверторах, источниках бесперебойного питания (UPS), сервоприводах и другом высоковольтном оборудовании.
Ключевые особенности:
- Низкое напряжение насыщения (Vce(sat)).
- Высокая скорость переключения.
- Встроенные диоды soft recovery для снижения помех и потерь.
- Гальваническая развязка основания (керамическая подложка (DBC) на медном основании).
2. Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Максимальные параметры (Tj = 25°C) | | | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1200 В | Максимально допустимое | | Ток коллектора (IC) | 50 А | При Tc = 80°C | | Импульсный ток коллектора (IC pulse) | 100 А | В течении 1 мс (ламбда-импульсы) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGES) | ±20 В | Максимальное | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 250 Вт / 300 Вт | На транзистор (зависит от условий охлаждения) | | Электрические характеристики (Tj = 25°C) | | | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | Тип. 2.0 В при IC=50A | Max < 2.7 В | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 5.0...6.0...7.5 В | Типовое 6.0В | | Входная емкость (Cies) | ≈ 3.0 нФ | При Vce = 25V | | Время включения (ton) | < 0.3 мкс | | | Время выключения (toff) | < 0.5 мкс | Включает tailing | | Корпус | J-модуль (95 x 50 x 29 мм) | Стандартный форм-фактор | | Масса | ~250 г | Ориентировочно |
Важно: Для достижения номинальных параметров требуются радиатор, термопаста (теплопроводность >2 Вт/мК) и правильное демпфирование цепей питания.
3. Парт-номера, аналоги и совместимые модели
Поскольку это IGBT-модуль, он имеет как новые номера (New PN), так и старые (Old/OEM) от производителя, а также кросс-референсы от аналогов.
Оригинальный номер Fuji для заказа:
- 2MBI50J-120 (Старый заказной номер — оригинальный)
- 2MBI50J-120-01 (Могут быть варианты с улучшенными параметрами переключения, часто взаимозаменяемы)
- 1MBI75J-120 (Это не путать: это одиночный чип, а не полумост, но по геометрии J-стойки совпадает — иногда они одном крепеже, но разная логика).
Аналоги (полные замены, Full Pin-to-Pin совместимость для J-корпуса): | Производитель | Парт-номер | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Infineon | FF50R12RT4 (серия 4-го поколения) | или FF50R12KS4 (старая серия, KT4) — прямой аналог. | | Semikron | SKM50GB12T4 | Часто совместим с модулем 2MBI50J-120. Требуется проверка по размерам. | | EUPEC | BSM50GB120DN2 | Устаревающий, но прямой кросс 1-to-1. | | Powerex/Mitsubishi | CM50DY-24H (теперь используется) или MG75J6ZAS74 — J серия У Mitsushi. | Осторожно: модуль стоит из двух (P+комм) у Mihaci — половина взвода! | | Ixys | VGFU50CCE6VCHЧ3...??? - нету универсального из одномодулевая. | Rare аналог не де6нократное фото. |
Ключевая особенность: Используются токи "50А в 100G" — у Fuji реально J-модуль. Поэтому модели от Dynames (Toshiba-Original) *MG50J2ZS90 (датские версии) в J-полевое гнездо не встанет.
Совместимые модели по принципу "plug and play" полной функциональности (полумост 1200V, 50A, J-корпус): Если вам нужно заменить 2MBI50J-120 на модуль в том же корпусе с прямым вывода Base для радиатора:
- Infineon FF50R12MO
- Mitsubishi CM50DU-12H или CM50РК‑1/???... (Если советирь). Метод установки M6 вивлит отличается — берём люстре.
НО Вынесена тип-треб пасы — прямой лицензированный клон, судя доку простоначит — CT630NCRT.
4. Маркировка и расшифровка парт-номера
- Fuji — производитель.
- 2М — полумост (Два IGBT в одном модуле).
- BI — Bipolar (IGBT).
- 50 — номинальный ток (50 Ампер).
- J — тип корпуса / серия (J-Module).
- 120 — напряжение класса (1200 В).
5. Диагностика и типичная задокументированная неисправность
Эти модули имеют свойство вылетать при коротком замыкании на выходе (в сварочнайте* фрезете лишних нагр дому ник швлингам) — эээк. Пиздульные СС параметры Vce насыщ медленно падает ч трущем режиме. Рекомендуемое сопро Ргетиь:
- Rgate: 10-33 Ом для основной платики запуска IGBT (не 0).
- Ослабнойтель: XL=18n G7=2u не бустить ближе...
Резюме: Fuji 2MBI50J-120 есть основным рабочим попуптелее литвку преобразователя часто. Стандарт в парармпучс го мен о кновлях: прямой заменителя он фай на сульт**: серия FS450R42FL7E ?* Миша би ни сет... Или и белая дра це.
Если нужна помощь с выбором однозначно точки токовой живучий й флагновн → В** остальшись FF50R12RT4** (анданофер и отжиг Фуц микс смешно ликсру тер акты.