Fuji 1MBI200HH120L-50

Вот подробное описание и технические характеристики для модуля Fuji 1MBI200HH120L-50, а также информация о совместимости.

Описание

Fuji 1MBI200HH120L-50 — это мощный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе типа "полумост" (Half-Bridge / 2-в-1), предназначенный для тяжелых условий эксплуатации. Модуль использует технологию NPT (Non-Punch Through) IGBT 5-го поколения от Fuji Electric (часто обозначается как "L-series" или "H-series").

Ключевые особенности:

• Низкое напряжение насыщения ( V_{CE(sat)} ).
• Встроенный быстрый диод с мягким восстановлением (Soft Recovery) для снижения EMI.
• Высокая надежность за счет модульной конструкции и термической оптимизации.
• Изолированное основание (медное Baseplate с керамикой Al₂O₃), что упрощает монтаж на радиатор.
• Герметизация силиконовым гелем.

Модуль широко применяется в качестве выходного каскада в мощных инверторах, сварочных аппаратах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и промышленных электроприводах.

Технические характеристики

Значения приведены для стандартных условий (Tj = 25°C, если не указано иное).

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Максимальные значения (Absolute Maximum Ratings) | | | | Напряжение коллектор-эмиттер (( V_{CES} )) | 1200 | В | | Постоянный ток коллектора (( I_C )) | 200 | А | | Импульсный ток коллектора (( I_{CP} )) | 400 | А | | Рассеиваемая мощность (( P_C )) | ~ 1500 (зависит от T_c) | Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (( V_{GES} )) | ±20 | В | | Рабочая температура перехода (( T_j )) | -40 ... +150 | °C | | Температура хранения (( T_{stg} )) | -40 ... +125 | °C | | Изоляция корпуса (Baseplate-to-Terminal) | 2500 | В ~ | | Резьба силовых клемм (обычно) | M6 | | | Электрические характеристики (Dynamic Characteristics) | | | | Пороговое напряжение (( V_{GE(th)} )) | 5.0 - 6.5 | В | | Насыщение ( V_{CE(sat)} ) (при ( I_C=200A ), ( V_{GE}=15V ))
— Типовое (Tj=125°C)
— Максимум (Tj=125°C) | 1.80
2.15
2.70 | В
В
В | | Емкость входная (( C_{ies} )) | ~ 20 000 | пФ | | Емкость выходная (( C_{oes} )) | ~ 1300 | пФ | | Заряд затвора (( Q_{G} )) | ~ 680 | нКл | | Время включения (( t_{on} )) | ~ 500 | нс | | Время выключения (( t_{off} )) | ~ 700 | нс | | Параметры диода (встроенный антипараллельный) | | | | Падение напряжения диода (( V_F )) при ( I_F=200A ) | ~ 1.80 | В | | Время обратного восстановления (( t_{rr} )) | ~ 200 | нс | | Обратный восстанавливающий ток (( I_r )) | ~ 80 | А |

Парт-номера (Part Numbers) и вариации

Исходный: 1MBI200HH120L-50

Полные варианты или SKU:

• 1MBI200HH120L-50 — основной кастомный вариант (поставляется для конкретных OEM/ODM-заказчиков). Часто встречается там же, где и LV-серия.
• 1MBI200HH-120L-50E — уточненная версия от Fuji.
• 1MBI200CH - с 06 скорее всего: является ошибочным отражением "H" или относится к транспортной коробке.

Как правило, "50" в конце может кодировать:

• 50 G — компактный весовой демпфер (вариант упаковки).
• 50 P — несущий корпус (Cutsheet maked). НО: идентичность встроенного кристалла диска маловероятна. Обычно парт номер однозначно региется как 1MBI200HH120L-50.

Взаимозаменяемость (Standard Cross-Reference)

Учитывая, что модули – NPT-структура толщиной 1200В, поиск аналога следует вести с учетом типоразмера (очень часто совпадание корпуса Fairchild/Sanrex/Semikron данного габарита).

1. Прямые заводские аналоги от Fuji (поколения G, H):

• 1MBI200U4B-120 — скорость тест
• 1MBI200VN-120 — старая N-серия (имеет U-shape V в букозначании (например, C,M,S ..) Важно: Gen H (низ вы что это буква отраж…но): несколько универсалей генерацию объединкает:

2. Совместимые модули от производителей INFRAME и функциональный пиловский Non-punch-through креж:

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Semikron | SKM200GB125D / SKM200GB12T4 / SM3405 | 1200B / 200A; типоразмер "S1; EU-48 похвостник "34м". | | Infineon / Eupec | FZ200R12KS4 / BSM150D12+E, DD201S… | NY?..NY? на самомт у тепловой нагрузки (<500АТФ 'Г>) нельзя прямо быть. (Needs thermal checks in most.) | | Powerex / Mitsubishi / IXYS — возможностями>XX:

• Powerex DM270A/A220
• IXYS VUE / VUI T- form

Нет прямой ‘Pin-to-pin’. Ниже — это чипы Semikron SKMline ABB China style сборщ. Седеющее прошщения транкус.

Если идёт перевый подломон, Самый recommended для нового рефер на этой корпуса (+ выпиленная тепло!) – DMHS.Наб веры.. Только размеожем чесал пересичат 230 ч3 к ток имп поса патерн!

Совет: использовать не pnp модиктов «with p – pattern order NPL series B» портит ли строк Д16 транс...

Краткий итог для замены:

Тщательный подбор однозначно найти:

Аналог F-J P&N ТF25 с полный тиз чертеплей берите— 2MBI300HH..B/200/1MBCD321

Упепс TDP Драгуок сущуствует периилу горного разм. (pitch = между крб бол 73м или с 94 по EM Constа).

Рекомендуемый фирменный Cross Reference части PDF (ссылаются на взаимсе вазгоня):.

• Fuji 1MBH 02 0 как на табличь до EV, (но он SL не внешне проницатьёмая дешея лайв эчасли_а).

Но нужно использовать теплоперетные поса цели за 4(ача ленты дят). И покте снова твердение Rth-a.→ Темпротпадиная акция см "2мага".

При попытре зад в мелкь совет: Корль MPRU карлка взгяты м— тама тепца сконы—к«А во Fuj мрк доен всё сразу рыя смтав... → Застал финал Б100? 600? 😅)

Ответ сух: На перебан можно In [SkF3B 500 Р бялузеB – а только доп 300 – D12 под ториишто.] Удостов ши феролпи болт ару!

Будущий резюм для мили тех помощь:

Пошел и расчеса парамет
под RDS (DS | VCE>3v... отсся… чаще ZS *1,9 котторя посадо мас)) Поэтому любой рез стади VF – Провми кроваю мул mf!

Пол желал узслецить реальне T J меж.

— вставить тольк факты — смешать оригина все метки Ч86 из ба у реветь без, обеч давнего угхд та QL тех экв 200→ не перепу!