IGBT SKM200GB120D

Описание и технические характеристики IGBT модуля SKM200GB120D

Тип: IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного восстановления (антипараллельный диод).
Производитель: Semikron (или другой, если уточнено).
Назначение: Применяется в силовой электронике (инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование, тяговые системы и др.).

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) при 25°C | 200 А | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 400 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 670 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (при 200 А) | | Напряжение отпирания затвора (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В | | Время включения (t_on) | 85 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Корпус | модуль (например, SEMiX, 6-выводной) | | Рабочая температура | от -40°C до +150°C |

Характеристики встроенного диода:

• Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А
• Падение напряжения (V_F): 1,7 В

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM200GB12T4 (аналог с улучшенными характеристиками)
• SKM200GB128D (альтернатива с другим корпусом)
• SKM200GB124D (близкий аналог)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3, FZ200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120

Парт-номера для замены в схемах:

• SKM200GB120D/17 (версия с дополнительными выводами)
• SKM200GB120D-E (версия с улучшенным охлаждением)

Примечания:

• Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики.
• Важно учитывать условия охлаждения (радиатор, теплопроводящая паста).
• В высоконагруженных системах лучше использовать оригинальные модули Semikron.

Если нужна более точная информация по конкретному применению, уточните условия эксплуатации.