IGBT SKM195GAR124DN

Описание IGBT модуля SKM195GAR124DN

Производитель: Semikron (или другой, в зависимости от данных)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT IGBT + FRD)
Назначение: Предназначен для использования в мощных инверторах, преобразователях частоты, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и промышленных приводах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C при 25°C): 195 А
• Импульсный ток коллектора (I_CM): 390 А
• Максимамая рассеиваемая мощность (P_tot): ~600 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Класс изоляции: 2500 В (UL-признание)

Параметры IGBT:

• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1,8 В (при 195 А)
• Время включения (t_on): ~50 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс

Параметры диода:

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямое падение напряжения (V_F): ~1,7 В (при 195 А)

Тепловые характеристики:

• Температурный диапазон: -40°C ... +150°C
• Термосопротивление переход-корпус (R_thJC): ~0,12 °C/Вт
• Термосопротивление корпус-радиатор (R_thCH): ~0,05 °C/Вт

Механические характеристики:

• Корпус: модуль с изолированным основанием (SEMiX, EconoPACK или аналогичный)
• Монтаж: винтовое крепление
• Вес: ~200–300 г

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Semikron:

• SKM195GB124DN
• SKM200GB124D

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• IXYS (Littelfuse): MIXA195PE1200T

Совместимые модули (по параметрам):

• На 1200 В / ~200 А:
  • Infineon FZ200R12KE3
  • Mitsubishi CM200DY-24NF
  • SEMIKRON SKM200GB124D

Примечание

Точные параметры могут отличаться в зависимости от даташита производителя. Для точного подбора аналога рекомендуется проверять datasheet и сравнивать электрические/тепловые характеристики.

Если вам нужна более детальная информация (графики, схемы подключения), укажите это!