IGBT SGL50N60RUFD

Описание IGBT SGL50N60RUFD

SGL50N60RUFD — это N-канальный IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов, сварочного оборудования и других силовых применений. Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT + диод | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4,5 В (тип.) | | Скорость переключения | Высокая (Ultra Fast) | | Встроенный диод | Есть (Ultra Fast Recovery Diode) | | Корпус | TO-247 | | Температура работы | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N60T, IKW50N60H3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGH50N60SMD, FGH50N60UF
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• IXYS: IXGH50N60B3D1

Похожие модели в линейке SGL:

• SGL40N60RUFD (40 А, 600 В)
• SGL60N60RUFD (60 А, 600 В)
• SGL80N60RUFD (80 А, 600 В)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания
• Управление двигателями
• Системы UPS

Если нужна дополнительная информация по аналогам или заменам — уточните условия эксплуатации!