IGBT SGL160N60UFD

Описание IGBT SGL160N60UFD

SGL160N60UFD – это IGBT-транзистор с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений, таких как инверторы, сварочное оборудование, промышленные приводы и системы управления электродвигателями. Устройство сочетает в себе низкие потери проводимости и переключения, высокую надежность и устойчивость к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный IGBT с ультрабыстрым диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 160 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 100 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 320 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 500 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,85 В (при I_C = 160 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Обратное напряжение диода (V_RRM) | 600 В |
| Прямой ток диода (I_F) | 160 А |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-264 (аналог TO-3PF) |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +175°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (совместимые модели)

• Infineon: IKQ75N60T (600 В, 75 А, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-060 (600 В, 200 А, модуль)
• ON Semiconductor: NGGB60N60S2WG (600 В, 60 А, TO-247)
• STMicroelectronics: STGW60H65DFB (650 В, 60 А, TO-247)
• IXYS: IXGH80N60B3 (600 В, 80 А, TO-247)

Похожие модели (альтернативы с близкими параметрами)

• IRG4PH50UD (600 В, 55 А, TO-247AC)
• FGH60N60SMD (600 В, 60 А, TO-247)
• HGTG20N60A4D (600 В, 40 А, TO-247)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна помощь в подборе аналога для конкретного применения, уточните параметры схемы.