IGBT QM200E2Y-HB

Описание IGBT QM200E2Y-HB

QM200E2Y-HB – это высоковольтный IGBT-транзистор с интегрированным диодом, предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой перегрузочной способностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|---------------------------------------|
| Тип устройства | IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) / 300 А (пиковый) |
| Ток диода (I_F) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~600 Вт (зависит от охлаждения) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при I_C = 200 А) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура хранения | от -40°C до +125°C |
| Температура корпуса | до +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KE3, FF300R12KE3
• Fuji: 2MBI200U2A-120
• Mitsubishi: CM200DY-12NF
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Совместимые модули от других производителей:

• IXYS: IXGH200N120B3
• Toshiba: MG200Q2YS41

Примечания

• Перед заменой следует уточнить схему включения и тепловые характеристики.
• Рекомендуется использовать с эффективной системой охлаждения.
• Для точного подбора аналога проверяйте datasheet на соответствие параметров.

Если требуется точный datasheet, уточните производителя (возможно, это Powerex или другой бренд).