IGBT QM100DY-2H

Описание IGBT QM100DY-2H

QM100DY-2H – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 50 А | | Максимальная импульсная мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Температура перехода (T_j) | -55°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Полные аналоги:

• QM100DY-H (аналогичный параметрам, но без суффикса -2H)
• IRG4PH50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi, 650V, 60A)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• HGTG30N60A4D (600V, 46A, TO-247)
• IXGH50N60B3 (IXYS, 600V, 50A)
• STGW60H65DFB (STMicro, 650V, 60A)

Применение:

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet на предмет параметров V_CES, I_C и тепловых характеристик.

IGBT QM100DY-2H предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — QM100DY-2H. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #QM100DY2H #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов