IGBT p211a0403

Описание IGBT P211A0403

IGBT P211A0403 — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный IGBT с диодом обратного хода (антипараллельный диод)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 400 В
• Ток коллектора (I_C): 20–40 А (зависит от условий охлаждения)
• Ток импульсный (I_CM): до 80 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 100–200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4–6 В
• Скорость переключения: высокая (время включения/выключения в наносекундах)
• Температура эксплуатации: -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (возможны модификации)

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги:

• Infineon: IKW40N65ES5
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-060
• Mitsubishi: CM400DY-24A
• ON Semiconductor: FGH40N60SMD

Совместимые модели (по характеристикам):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• STGW40H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH40N60C2D1 (IXYS)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники питания (SMPS, UPS)

Если вам нужны точные параметры для конкретного производителя, уточните маркировку или datasheet.