IGBT MG75N2YS40

Описание IGBT MG75N2YS40

IGBT MG75N2YS40 – это мощный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости.
• Быстрое переключение и устойчивость к перегрузкам.
• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратного напряжения.
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-------------------------------|
| Тип | IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт (с радиатором) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление затвора (R_G) | 2.5 Ом |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-264 (изолированный) |
| Температура хранения | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (схожие параметры):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA75N40 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG75N40 (Microsemi)
• STGW75NC40V (STMicroelectronics)

Совместимые модели (замена с проверкой схемы):

• MG75N2YS50 (аналог с V_CES = 500 В)
• MG50N2YS40 (менее мощный, 50 А)
• IXGH75N40 (IXYS)

Примечания по замене

• При замене на аналог необходимо учитывать:
  • Напряжение V_CES и ток I_C.
  • Параметры встроенного диода (если используется).
  • Распиновку корпуса (TO-264, TO-247 и др.).

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитом производителя (например, Mitsubishi Electric для оригинального MG75N2YS40).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!