IGBT MG25Q6ES1
IGBT MG25Q6ES1 — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение MG25Q6ES1, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT MG25Q6ES1
Описание IGBT модуля MG25Q6ES1
MG25Q6ES1 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и хорошей термостабильностью.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (IC) | 25 А |
| Ток коллектора при 100°C (IC @ 100°C) | 12,5 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 100 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 30 нс |
| Время выключения (toff) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Встроенный диод | Да (быстрый восстановительный) |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- IRG4PH50UD (International Rectifier)
- FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG20N60A4D (Microsemi)
- STGW25NC60WD (STMicroelectronics)
Близкие по характеристикам (с проверкой распиновки и параметров):
- IXGH25N60B (IXYS)
- APT25GR60J (Microchip Technology)
- NGTB25N60FL2WG (ON Semiconductor)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Управление двигателями
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и распиновку, так как некоторые аналоги могут отличаться по характеристикам встроенного диода или тепловым параметрам.
Нужна дополнительная информация по замене или схемам применения?
Дополнительная информация
IGBT MG25Q6ES1 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — MG25Q6ES1. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.
#IGBT #IGBTМодуль #MG25Q6ES1 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов