IGBT KS621K30

Описание IGBT KS621K30

IGBT KS621K30 — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Обладает высокой переключательной способностью, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод, что делает его пригодным для высокомощных приложений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Корпус | TO-247 | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В | | Время включения (t_d(on)) | 35 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 150 нс | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (cross-reference):

• IRG4PH30UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60 (Microsemi)
• IXGH30N60 (IXYS)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по характеристикам):

• FGH30N60 (Fairchild)
• NGTB30N60 (ON Semiconductor)
• APT30GR60 (Microsemi)

Применение

• Силовые инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров в конкретной схеме.