IGBT H30R1602

Описание и технические характеристики IGBT H30R1602

H30R1602 – это IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) с диодом обратного хода (антипараллельным диодом), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

• Тип корпуса: TO-247
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Максимальный ток коллектора (I_C @25°C): 30 А
• Максимальный импульсный ток (I_CM): 60 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)): 4,0–6,0 В
• Время включения (t_on): 40 нс
• Время выключения (t_off): 150 нс
• Встроенный обратный диод: Да
• Температура перехода (T_j): -55°C до +150°C

Парт-номера (альтернативные и аналогичные модели)

• Аналоги от других производителей:

  • IRG4PH40UD (International Rectifier)
  • FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
  • IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

• Совместимые модели (прямые или близкие аналоги):

  • H30R1603 (с улучшенными характеристиками)
  • H20R1202 (меньший ток, 20 А)
  • H40R1602 (больший ток, 40 А)
  • H30R1202 (аналог с напряжением 1200 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется более точная замена, следует учитывать параметры конкретной схемы (напряжение, ток, частота переключений).