IGBT GT50JR22 TO-3P 600V 44A 115W TO3PN

Описание IGBT GT50JR22 (TO-3P, 600V, 44A, 115W)

IGBT GT50JR22 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в корпусе TO-3P (TO3PN), предназначенный для применения в силовой электронике. Обладает высоким напряжением коллектор-эмиттер (600 В), номинальным током 44 А и рассеиваемой мощностью 115 Вт.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-------------| | Тип транзистора | NPT IGBT | | Корпус | TO-3P (TO3PN) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 44 A (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 88 A | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 115 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 4,0–6,0 В | | Время включения (t_d(on)) | ~50 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~350 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,55 °C/Вт | | Рабочая температура (T_j) | -55°C до +150°C |

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями

Парт-номера и совместимые модели:

• GT50JR22 (оригинал Toshiba)
• IRG4PC50UD (International Rectifier, 600V, 55A)
• HGTG20N60B3 (Fairchild, 600V, 40A)
• FGA25N120ANTD (Fairchild, 1200V, 25A, но может работать в некоторых схемах)
• STGP10NC60KD (STMicroelectronics, 600V, 20A, менее мощный аналог)

Примечание:

Перед заменой на аналог необходимо уточнять параметры схемы, особенно V_CE(sat), Q_g и динамические характеристики.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения, укажите конкретные требования.