IGBT GT50J325

Описание IGBT GT50J325

IGBT GT50J325 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Большой ток коллектора (I_C = 50 А)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный обратный диод для защиты схемы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|---------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Корпус | TO-3P (иногда обозначается как TO-247) |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• GT50J325 (оригинал от Toshiba)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)
• IRG4PC50UD (Infineon)

Частично совместимые модели (требуется проверка схемы):

• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• APT50GR120J (Microchip)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно V_CES, I_C, V_CE(sat) и корпус.

Нужна дополнительная информация? Готов уточнить!